东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。

新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。

东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆变器

使用SiC MOSFET的3相逆变器

简易方框图

• 应用：

开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）

电动汽车充电站

光伏变频器

不间断电源（UPS）

• 特性：

4引脚TO-247-4L(X)封装：

栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗

第3代碳化硅MOSFET

低漏源导通电阻×栅漏电荷

低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）

• 主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2023年8月

[2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）