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ASC75N1200MT4SX开尔文源TO-247-4S封装Driver和Gate更细

2025/12/30 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC75N1200MT4SX开尔文源TO-247-4S封装Driver和Gate更细

844.96 KB

ASC75N1200MT4SX 碳化硅MOS1200V30mΩ,驱动电压+15/18V。

开尔文源TO-247-4S封装Driver和Gate更细优势:

驱动回路（Kelvin源极）的引脚做细，是为了引入一个可控的、微小的寄生电感，从而隔离高频驱动回路和主功率回路，抑制有害的栅极振荡和电压尖峰。

碳化硅功率器件 IDM厂家，专注碳化硅功率器件，分享电力电子信息，碳化硅器件应用技术等行业资料，一起交流学习。

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