IC设计成本的构成与规模效应

本篇主要讨论IC设计成本的构成与规模效应。

1. 固定成本（NRE）主导设计阶段

掩模与流片费用：先进制程的掩模组成本极高，例如3nm节点掩模组费用达4000万美元，2nm工艺单次流片成本超3000万美元。

IP授权与EDA工具：第三方IP（如ARM内核）授权费可能达数千万美元；EDA工具使用费及配套算力投入随设计复杂度指数级增长。

验证与测试成本：复杂SoC的验证周期占设计总成本60%以上，测试向量生成与调试需消耗大量工程师资源。

这些成本在量产前已发生，需通过后续出货分摊。

2. 可变成本（单片成本）随数量递减

晶圆制造成本：单片晶圆价格固定（如2nm晶圆约3万美元），但单片晶圆可切割的芯片数量（DPW, Die per Wafer）由芯片面积决定。例如28nm MCU单片成本约2美元，而2nm高性能芯片单片成本超300美元。

封装与测试成本：封装类型（如先进封装CoWoS）和测试时长直接影响单片成本，量大时可协商降价。

单位成本公式：

量产数量越大，NRE分摊越低，单片成本趋近可变成本。

本篇内容中有部分资源来源于网络，如有侵权，请联系作者。