《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验

核心观点

AI推理驱动全球存储市场出现结构性缺货，技术迭代与需求升级正推动产业进入长期成长周期。

原厂产能向高利润产品倾斜，HBM4等先进技术加速布局，供应链整体维持紧平衡状态。

服务器需求爆发引发全产业链涨价潮，原厂强势定价与渠道供应紧张推动价格持续上行。

三大维度解读存储器件最新供需动态

市场需求分析

今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，涵盖NAND、HDD、DRAM及HBM等多类产品。

缺货主因是AI推理带来冷数据与温数据需求暴增，推动高容量HDD与SSD同步紧张。

这一结构性成长将使供应链维持长期紧张，短缺短期内难以结束。

DDR4颗粒供应锐减，迫使多数PC转向DDR5，剩余DDR4需求依靠库存维持，价格持续推高。

存储市场正经历结构性变革，因DRAM技术标准与制程冲突，DDR5/DDR4缺货可能持续至2027年。

全球数据中心与AI投资加速，预计2030年相关投入超万亿美元，推动高效NAND需求大增。

搭载AI功能的新机型发布，将带动2025–2026年智能手机单机平均容量实现高个位数增长。

到2026年，数据中心预计将成为NAND闪存的最大应用市场。

交货周期分析

当前库存快速消耗，原厂将提高服务器用高利润产品份额，整体DRAM与NAND供应增长有限。

三星电子加速引进1c纳米DRAM设备，目标明年初实现HBM4量产。

三星正加紧通过NVIDIA的HBM4认证，已交付工程样品，预计本月交付最终验证样品，计划明年下半年发货。

SK海力士在完成HBM3E产线优化后，将部署1c纳米工艺设备，专注HBM与高性能服务器DRAM生产。

SK海力士已建立HBM4量产体系，完成客户供货谈判，计划2026年起推出多层HBM4E及定制产品。

闪迪表示2026财年第一财季NAND需求超过供应，库存周转天数下降，预计该趋势将持续至年底。

价格波动分析

市场对高带宽内存和DDR5需求旺盛，推动内存价格持续上涨。

原厂最新临时合约报价显示，服务器、手机及PC等应用的DRAM与NAND价格涨幅最低20%，部分超40%。

涨价主因服务器需求爆发导致产能结构性转移，消费类市场供应已受影响，未来供应紧张或成常态。

渠道端DRAM与NAND资源价格频繁跳涨，现货流通量稀少。

NAND方面，原厂优先保障Tier1客户，其涨幅相对缓和，大众客户需以更高价格获取有限供应。

南亚科技10月营收环比增18.66%，同比大增262.37%，创四年多新高，累计前10月营收同比增长49.3%。

闪迪2026财年第一财季NAND bit出货量增长约15%，均价中个位数上涨，推动营收与毛利率超预期。

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