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安森美工业图像传感器供电方案教程:降压转换器与LDO的优劣对比

7小时前
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《工业图像传感器供电方案教程》围绕稳压型降压电源、低压差稳压器LDO)、Hyperlux CMOS图像传感器等展开讲解。我们已经介绍过——

稳压型降压电源的关键组成部分、降压转换器的工作原理、连续导通与断续导通等。

低压差稳压器 (LDO) 的工作原理等。

计算热耗散等

本文将继续介绍降压转换器的自发热效应考量、降压转换器与LDO的优劣对比等。

降压转换器的自发热效应考量

在评估各类降压转换器用于功率稳压时,必须估算其裸片温度或结温。计算该值需理解:瓦特即功率,而功率即热量。降压转换器的耗散功率计算公式非常简洁

其中, 输出功率 POUT 与输入功率 PIN 的比值即为该器件的效率。 输入电压 VIN由图像传感器的应用场景决定。 根据欧姆定律, 可通过 PIN 除以 VIN 来计算输入电流 IIN 。

安森美(onsemi) FAN53745 降压转换器为例, 本应用所需的输入电压 VIN 为 5V, 输出电流 IOUT 为 470 mA, 输出电压 VOUT 为 3.2 V。 根据器件数据手册中“负载电流与效率” 曲线图可确定其效率: 在代表 VIN =4.9V 的红色曲线上,当负载电流为 470 mA 时, 效率约为 90%。 代入上述公式, 可得功耗 PD 约为167 mW。

得到 PD 后, 下一步需结合数据手册中的 θ-JA(热阻) 和环境温度参数, 安森美部分数据手册使用缩写 QJA 表示 RθJA 。 对于 FAN53745, 其 RθJA 为 65°C/W, 推荐环境温度为 60°C。 据此计算, FAN53745 的芯片结温为70.9℃ 。

图 — 效率与负载电流及输入电压的关系, FPWM 模式

降压转换器与LDO的优劣对比

0.5 A

高精度(0.7%)

超低噪声高电源抑制比(PSRR)

热阻(RθJA): 60°C/W

芯片结温: 107°C

工作温度范围:-40℃ to 125℃

效率: 36%

官网报价:$0.26

假设你需要设计一个电源树,以满足以下图像传感器应用的参数要求:输入电压 VIN 为5V,输出电压 VOUT 为1.8V,输出电流 IOUT 为 350mA,环境温度设定为较高的60°C。

参考安森美的 NCP189 LDO,其热阻 RθJA 为60°C/W,据此计算出的裸片结温 TJ 为107°C。其效率仅为约 36%,这一因素很可能在实际应用中产生重要影响。截至本文撰写时, NCP189 的官网报价(WP,即安森美针对小批量采购、未含任何折扣的公开报价) 为每颗 0.26美元。

同步整流

3.33 MHz

1A

1 x 1.5mm

热阻(RθJA): 65°C/W

芯片结温: 64.5°C

工作温度范围:-40℃ to 85°C

效率: 90%

官网报价: $0.40

在安森美的产品中,与该 LDO 工作特性最接近的降压转换器是 FAN53745 。 尽管其热阻 RθJA为65°C/W, 但由于其效率高达约 90%, 计算得出的结温 TJ 仅为64.5°C, 明显更低。 FAN53745 的官网报价略高,为每颗 0.40 美元。

由此可见, 降压转换器在温度控制方面具有显著优势, 但显然这种优势需要付出更高的成本。

若能接受107°C的 TJ 值, LDO仍是理想选择。 若面临狭窄封装空间的限制、 散热受限,降压转换器是更好的选择。

外壳与模块如何加剧散热问题

图像传感器通常置于模块或外壳内部。 因此电源稳压器未必能享有充足的流动气流和下方大面积PCB散热面。 PCB散热面本应提供热容量以帮助IC散热, 但在空间极为有限的外壳中, 该散热面可能无法达到理想尺寸。

外壳会封闭大部分甚至全部环境空气, 导致封闭空气的温度升高, 从而加速IC的自发热趋势, 此时IC更像是微型本生灯。 因此在设计电源树时, 必须同时考虑热传递的三种方式——传导、 对流和辐射。

电网供电 vs. 离网供电的设计考量假设您的图像传感器应用需要至少500mV的降压电压。 若图像传感器应用通过交流电网供电(无论采用以太网供电PoE还是AC/DC适配器), 从工程实践的角度来看, 这等同于拥有无限电源。 因此即使LDO的效率低于降压转换器, 该因素在电源树考量中影响有限。

另一方面, 若应用采用电池供电或太阳能等可再生能源供电, 效率便成为首要考量。 由于能源并非无限, 您可能会倾向于选择效率更高、 能耗更低的降压转换器。 电池具有单位成本, 减少电池数量对降低整体运营成本也具有显著意义。

选择降压转换器还是LDO ?

过去, 在为降压应用选择LDO或降压转换器时, 工程师常遵循一条经验法则: 若负载电流低于200 mA, 选用 LDO; 若高于200 mA, 则选用同步降压转换器。(该规则本身存在一定波动性; 在某些情况下,阈值可能浮动为300mA。 )

随着制造工艺和器件规格的不断进步, 如今的经验法则更为精细化,更接近于一个流程:

1. 优先假定选用 LDO。 多数情况下LDO成本更低。
2. 查阅候选 LDO 的数据手册, 确定其最大推荐工作温度(取自较窄的温度范围, 而非绝对最高温度) 。
3. 将该温度乘以 85%(0.85) 以预留安全裕量, 此即"安全温度"。
4. 运用前文公式计算候选 LDO 的芯片结温TJ 。
5. 若 TJ 超过安全温度, 则寻找环境温度额定值更低或 θ-JA 值更低的 LDO。
6. 若无 LDO 能满足安全温度要求, 则考虑使用同步降压转换器。

需注意特殊情况: 密闭外壳或模块会阻碍气流, 导致环境温度升高并加剧IC自发热效应。 此类场景下, 建议优先选用降压转换器替代LDO。 此外, 在电池供电应用(如远程物联网摄像头) 中, 降压转换器能提供更高效率, 可显著延长电池续航时间。

未完待续,下篇推文将继续介绍电源树、噪声影响、安森美经典LDO产品等知识点。

安森美

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安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

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