三星与英伟达联合研发下一代NAND

三星电子（005930）已确认与英伟达（NVIDIA）合作，加速下一代NAND闪存芯片的研发。三星电子和英伟达联合开发了一种人工智能（AI）技术，该技术能够显著加快基于铁电材料的超低功耗NAND闪存的研发速度，而这种NAND闪存是人工智能（AI）芯片性能的关键因素。此次合作是两家公司推动全球AI半导体市场蓬勃发展战略的一部分，旨在通过掌握先发制人的技术，巩固其在下一代芯片竞赛中的领先地位。

据业内人士3月12日透露，三星电子半导体研究院、英伟达和美国佐治亚理工学院的联合研究团队开发了一种名为“物理信息神经网络算子（PINO）”的模型，该模型能够以比以往快1万倍以上的速度分析基于铁电材料的NAND闪存器件的性能，并已向全球公布了这项研究成果。

铁电材料是一种新型材料，无需电流即可维持极化状态，即正负极之间的分离。目前，研究人员正积极探索将这项技术应用于NAND闪存，以低功耗高效地存储信息。三星电子一直是该领域的领先企业。铁电NAND闪存是指使用铁电材料而非硅制成的NAND闪存。

铁电NAND的商业化需要进一步研究，通过计算机模拟来精确分析和改进材料性能，例如阈值电压和信息保持能力。半导体行业广泛使用的分析工具——技术计算机辅助设计（TCAD）通常需要60小时才能完成一项任务，这限制了研究速度。三星和英伟达的研究人员利用基于物理定律训练的人工智能，成功地将这一过程缩短到10秒以内。

基于这些研究成果，三星电子已与全球最大的存储器供应商英伟达合作，共同开发和商业化铁电NAND闪存，这使其未来的发展备受关注。去年底，三星电子在国际期刊《自然》上宣布，其研发的铁电NAND技术与传统NAND闪存相比，功耗降低了96%，预示着半导体行业的革命性变革。

据韩国知识产权部统计，在五大主要国家中，韩国（43.1%）在全球铁电专利市场份额中位居榜首，其中三星电子（27.8%）占据最大份额。

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