DRAM二季度涨势比预期更强劲！

今年第二季度，通用DRAM价格的上涨趋势比预期更为强劲。与市场研究机构预测的需求将在第一季度激增后于第二季度逐渐放缓相反，全球对三星电子和SK海力士DRAM供应的需求持续增长。然而，有报道称，由于产能已分配给高带宽内存（HBM），通用DRAM的产能难以再次提升，导致两家公司难以满足市场需求。

据业内人士4月29日透露，市场研究机构TrendForce最初预测今年第一季度通用DRAM价格将上涨55%至60%，但随后将预测值上调至90%至95%，较之前的预测值提高了35个百分点。如果考虑到第二季度预计还会上涨 58% 至 63%，那么价格走势实际上已经从第一季度飙升后的企稳阶段转变为第二季度的进一步上涨。

主要原因是，由于“HBM 专属”生产模式的 DRAM 产量被固定，三星电子和 SK 海力士满足通用 DRAM 需求变得更加困难。这两家公司供应全球 DRAM 的 70% 以上，随着其通用 DRAM 的绝对产量下降，最近出现了这样一种情况：生产工艺相对简单的 DRAM 的利润率是高附加值 HBM 的四到五倍。事实上，据报道，三星电子半导体事业部今年第一季度的“意外盈利”更多地是由 DRAM 而非 HBM 推动的。

HBM 对 DRAM 整体产能的影响正变得越来越显著。一位熟悉三星电子的官员解释说：“向HBM过渡对供应的影响比传统的产品组合调整更大。”他补充道：“随着HBM技术的进步，它消耗更多的DRAM，并延长了工艺周期。不像通用DRAM那样可以灵活应对。”美光此前曾表示，HBM的生产大约是DDR5的三倍DRAM产能。

TrendForce分析指出，尽管PC DRAM的需求预测有所下调，但供应商正在减少对PC制造商和模块制造商的出货量，导致面临供应短缺的公司不得不以更高的价格确保获得产品。预计今年第二季度消费级DRAM的价格还将上涨45%至50%。仅3月份，DDR4 4Gb的平均价格就上涨了20%以上，而DDR3和DDR2的价格在同月也上涨了20%至40%。

此外，由于通用DRAM的价格在短期内飙升，因此很难降低HBM的比例。三星电子和SK海力士正在争夺HBM4（第六代HBM）市场的主导地位，并已与英伟达、博通和OpenAI等主要客户签署了长期合同。分析师指出，由于HBM比通用DRAM能带来更稳定的长期利润，这些公司别无选择，只能加大对HBM的投入，即使这意味着“过度依赖HBM”会导致短期利润损失。

业内人士认为，这种供应瓶颈极有可能持续到今年下半年。DRAM制造商需要调整生产线以增加通用产品的出货量，但HBM涉及客户认证、封装和后端工艺等复杂的环节，短期内难以调整产量。一位半导体行业人士表示：“目前，DRAM制造商面临的并非价格上涨，而是供货不足的问题。”该官员补充道：“从客户的角度来看，如果无法确保足够的供货量，可能会影响产品发布计划，导致价格谈判的主动权大幅向供应商倾斜。”

与此同时，DRAM价格的飙升正在蔓延，加重PC、智能手机和服务器制造商的成本负担。尤其是入门级智能手机和低价PC，由于内存成本占比相对较高，可能面临更大的价格上涨压力。随着服务器制造商竞相争夺用于AI服务器的HBM内存以及用于通用服务器和高容量内存模块的DDR5内存，内存市场的整体供需失衡状况正在加剧。

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