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SK海力士已全面启动位于龙仁市的新存储器生产基地建设。据报道，该公司近期已开始向主要合作伙伴订购最先进的DRAM制造设备。初步投资规模约为每月2万片晶圆。
据半导体及设备行业7月14日消息，SK海力士正在推进龙仁Y1晶圆厂的设备订单。
Y1是SK海力士在京畿道龙仁市处仁区元三面地区开发的大型半导体产业集群的首个晶圆厂。首座晶圆厂由两座结构框架和六间洁净室组成。目前，第一间洁净室（ph1）的建设正在如火如荼地进行中。SK海力士原计划于明年5月启用Y1 ph1，但已决定将时间提前至明年2月。
据悉，SK海力士已开始向部分关键供应商订购Y1 ph1所需的设备。试生产（单次）生产线的建设预计将于明年2月启动，随后于3月或4月进行全面设备安装，以将产能提升至每月2万片晶圆。
该晶圆厂的生产目标是第六代10nm级（1c）DRAM。1c DRAM是目前商用DRAM的最新一代产品，主要用于制造高价值DDR和LPDDR（低功耗DRAM），以应用于人工智能领域。 SK海力士计划将1c DRAM应用于其第七代高带宽内存（HBM4E），预计该产品最早将于明年全面商用。
尚未下单的公司也纷纷加紧响应。这是因为SK海力士正在加快设备上市前的销售价格合同签订进度。
一位半导体设备行业的业内人士解释说：“SK海力士决定从第三季度初就开始签订销售价格合同，而通常情况下，这些合同都是在年底签订的。”他补充说，这是为了“尽快将设备引入第一年第一阶段（Y1 ph1）。”
与此同时，SK海力士正根据近期半导体供需情况，制定战略以加快其位于龙仁的大型半导体产业集群的建设。总投资600万亿韩元（2.724万亿元人民币）的龙仁半导体产业集群将包含四座晶圆厂，其中SK 海力士龙仁项目首座晶圆厂总投资约31 万亿韩元（约合1407亿元人民币），原计划第四座晶圆厂于2045年竣工，但该公司已将其提前12年至2033年。
另一位设备行业人士表示：“据我了解，SK海力士将于今年下半年开始为龙仁第一晶圆厂的二期和三期建设洁净室。”他补充道：“总体而言，晶圆厂的建设进度非常紧凑。”
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