芯耀
与非AI
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在射频与微波小型化模块的开发过程中，PCB 布局空间不断压缩，同时整机对高频性能指标提出更高要求，二者形成较为突出的设计矛盾。常规两端式 2016 贴片 MLCC 会受寄生电感影响，在微波频段阻抗特性快速恶化，无法完成屏蔽腔体穿墙位置的一体化信号处理。2016 封装穿心电容器作为三端无源器件，将穿心馈通结构集成至小型片式封装，既保留 SMT 自动化贴装能力，又大幅降低器件寄生参数，是小型射频屏蔽端口的优选元器件。成都容瓷电子科技有限公司推出 CC52-NP0-200V-5R6 型号 2016 型穿心电容器，可在紧凑封装条件下兼顾耐压、容值以及射频稳定性，性能可对标海外同规格穿心电容器，目前已经实现量产交付，为国内射频硬件设计人员提供国产化器件选型方案。
产品核心技术特性
1. 微型片式封装，节约射频模组布局空间
CC52-NP0-200V-5R6 穿心电容器采用 2016 标准化片式封装，尺寸为 直径Φ2.0mm×高2.0mm，属于小型化穿心馈通类器件。对比传统螺栓式、圆盘式穿心电容器，该产品体积大幅缩减，能够直接布置在高密度射频 PCB 以及微型屏蔽腔体面板之上，有效节约射频模块布局面积，适配便携式探测设备、小型射频收发组件的小型化开发需求。
2. 小封装实现容值与耐压协同优化，支撑进口器件替代
受陶瓷材料烧结工艺约束，小封装穿心电容器很难同时实现高耐压与有效容值。CC52-NP0-200V-5R6 穿心电容器对陶瓷坯体成型、多层共烧工艺进行优化，在 2016 小封装尺寸下达成 200V 额定耐压与 5.6pF 标称容量，实现同尺寸下电性能的均衡，器件指标可对标海外同类 2016 封装穿心电容器，为该类器件国产化提供可行方案。
3. NP0 高频陶瓷介质，保障优异固有品质
CC52-NP0-200V-5R6 穿心电容器采用 NP0（C0G）Ⅰ 类高频陶瓷介质，材料综合性能优异。NP0 介质不存在铁电效应，无老化衰减现象，容值温度系数接近 0ppm/℃，电容量几乎不受温度、直流偏压、工作频率变化的影响，介质损耗低、Q 值高，在宽温工作环境中射频电气参数稳定，保证高频链路幅度与相位的一致性。
4. 成熟量产工艺，稳定批量供货
CC52-NP0-200V-5R6 穿心电容器已经完成多轮可靠性验证以及客户端射频性能测试，产线工艺成熟稳定，具备批量供货能力。标准化 2016 封装可直接兼容现有 SMT 生产产线，无论是样品需求还是大批量订单都可以得到有效支撑，缩短射频项目研发及量产周期，为客户项目实施带来了极大的便利。
型号编码释义：
NP0：介质材质
温度范围 -55℃ ~ +125℃
200V：额定工作电压
5R6：标称容量 5.6pF
外形尺寸：直径Φ2.0mmX高2.0mm
产品技术图纸
筛选检验报告
装配选型与射频工程要点
CC52-NP0-200V-5R6 穿心电容器为 2016 片式穿心结构，采用三端拓扑设计，接地端可紧贴屏蔽层布设，最大限度降低接地回路寄生电感。进行射频腔体面板设计时，该器件可直接贴装在屏蔽隔板上，在保证射频信号可靠传输的同时，抑制端口共模杂散耦合效应。
端接选型上，常规射频研发项目可选择镀银端接，平衡高频性能与成本；面向航空、探测等高可靠设备，优先选用镀金端接，提升器件环境耐受能力。该穿心电容器兼容标准 SMT 钢网及回流焊工艺，客户现有贴片产线无需做额外改造。
应用场景
CC52-NP0-200V-5R6 2016 封装穿芯电容，工作温度 - 55℃~+125℃，适用于：
小型射频屏蔽腔体穿墙信号端口
便携式探测仪器、高频测试设备信号接口
射频装备行业正不断向小型化、高集成度方向发展，微型屏蔽腔体端口一直缺少可量产的国产穿心电容器件，2016 封装穿心电容器正好补齐这一无源器件的供给短板。
成都容瓷电子科技有限公司的 CC52-NP0-200V-5R6 2016 型穿心电容器，借助 NP0 高频陶瓷介质以及经过优化的穿心结构，在有限小封装体积下实现了耐压与容值的兼顾。该器件支持镀金、镀银两种端接方案，同时可提供多参数自由定制服务，目前已实现稳定批量供货，能够直接完成同规格进口穿心电容器的国产化替代。
后续，成都容瓷电子科技有限公司还将继续优化穿心陶瓷电容器的射频关键性能，拓展完善高频无源器件产品序列，为国内微波与射频电子装备的小型化研发工作提供器件层面的支撑。
