随着集成电路芯片组对破坏性静电放电(ESD)和其他瞬态电压浪涌越来越敏感,电路保护器件的选择变得越来越重要。浪涌保护装置抑制电压瞬变和分流过度电流远离敏感的电子元件。挑战在于有许多不同类型的设备供设计师选择。本应用说明提供了如何为给定应用选择理想电路保护装置的指导。
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随着集成电路芯片组对破坏性静电放电(ESD)和其他瞬态电压浪涌越来越敏感,电路保护器件的选择变得越来越重要。浪涌保护装置抑制电压瞬变和分流过度电流远离敏感的电子元件。挑战在于有许多不同类型的设备供设计师选择。本应用说明提供了如何为给定应用选择理想电路保护装置的指导。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EZADT22AAAJ | 1 | Panasonic Electronic Components | RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 47ohm, 12V, 0.000047uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP |
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暂无数据 | 查看 | |
| B82477G4333M000 | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 33uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 5050, ROHS COMPLIANT |
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$2.61 | 查看 | |
| SMMBT3904LT1G | 1 | onsemi | 200 mA, 40 V NPN Bipolar Junction Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL |
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$0.29 | 查看 |
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Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
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