场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种三端半导体器件,其工作原理基于电场调控导电性的特性。
1.简介
FET主要由栅极、漏极和源极三个部分组成。与另一种常见的三端半导体器件——晶体管不同,FET是根据阻抗变化来进行信号放大的。
2.工作原理
FET的工作原理可以概括为由栅极施加的电场调控了漏极和源极间的空间内载流子浓度,进而控制了电流的大小。具体地,当栅极电压足够高时,会在漏极和源极之间形成一个高浓度的导电层,从而电流得以通过。
而当栅极电压较低时,导电区域会逐渐收缩,最终完全消失,FET的导通状态也将停止。这一特性使得FET可以在低功率下实现高度精确的信号放大和开关控制。
3.分类和特点
FET根据其导电层类型分为增强型和耗尽型两种,其中增强型FET被广泛应用于各种电子设备中。此外,FET具有输入阻抗高、噪声低等优点。不过与晶体管相比,FET的输入输出容易出现反向复合现象,对稳定性有所影响。