220v双向可控硅电路图大全及元件作用

 

220v双向可控硅电路图大全及元件作用

图1(图片来源于网络)

 

如上图1所示,左侧为两个30K/2W的电阻,这样限制输入电流为:220V/60K=3.67mA,由于该路仅仅是为了提取交流信号,因此小电流输入即可。整流桥芯片采用小功率(2W)的KBP210,之后接入一个光耦(P521),这样如图1整流后信号电压值超过光耦前段二极管的导通电压时,即产生一次脉冲,光耦右侧为一上拉电路,VCC为单片机供电电压:+3.3V。光耦三极管导通时,输出低电平,关闭时输出高电平。

 

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电路见图。将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联.再将控制板与本触发电路连接,就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源,只要将负载与本电路串联后接通电源,两个控制极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生,调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使两个主可控硅阻断,因此R2还可起开关的作用。

  

该电路的另一个特点是两只主可控硅交替导通,一个的正向压降就是另一个的反向压降,因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时,SCR1、SCR2会误导通,导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路。

  

SCR1、SCR2选用的是封装好的可控硅模块(110A/1000V),SCR3选用BTl36,即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载,应增加R4,C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护,防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。

 

双向可控硅的调光电路工作原理说明一接通电源,220V经过灯泡VR4 R19对C23充电,由于电容二端电压是不能突变的,充电需要一定时间。

 

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工作原理说明:

一接通电源,220V经过灯泡VR4 R19对C23充电,由于电容二端电压是不能突变的,充电需要一定时间的,充电时间由VR4和R19大小决定,越小充电越快,越大充电越慢。当C23上电压充到约为33V左右的时候DB1导通,可控硅也导通,可控硅导通后灯泡中有电流流过,灯泡就亮了。随着DB1导通C23上电压被完全放掉,DB1又截止可控硅也随之截止灯泡熄灭。C23上又进行刚开始一样的循环,因为时间短人眼有暂留的现象,所以灯泡看起来是一直亮的,充放电时间越短灯泡就越亮,反之,R20 C24能保护可控硅,如果用在阻性负载上可以省掉,如果是用在感性负载,比如说电动机上就要加上去,这个电路也可以用于电动机调速上,当然是要求不高的情况下。

  

这个电路的优点是元件少、成本低、性价比高。缺点是对电源干扰比较大、噪声大、驱动电动机时候在较小的时候可能会发热比较大。

  

可控硅相当于可以控制的二极管,当控制极加一定的电压时,阴极和阳极就导通了。 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。 1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R&TImes;1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R&TImes;1或R&TImes;10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。

 

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双向可控硅调温电路图(图片来源于网络)

 

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VDI、VD2、Cl与C2组成简单的电容降压半被整流电源,通电后C2两端能获得约12V左右的直流电压供光控电路用电。VT、VD3、R2、R3与RP构成光控电路,白天光敏二极管VD3受光照射呈低电阻,VT基极电位下降,所以VT截止,可控硅vs得不到触发电压而处于关断状态,灯H不亮。夜间,VD3无光线照射呈高电阻,VT的基极电位上升,VT导通,就向vs注入正向触发电流,故vs立即开通,灯H全压点亮。调节电位器RP能调节三极管VT的基极电位,从而能对光控灵敏度进行调整。

 

双向可控硅无级调光器

 

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开灯时闭合开关S,220V交流电通过RP1、RP2和R向电容C2充电,当C2两端电压达到双向触发二极管VD的转折电压时,VD与双向可控硅vs相继导通,使被控照明灯H得电发光。当交流电过零反向时,vs自行关断,C2又开始反向充电,重复上述过程。可见,在交流电每一个周期内,vs在正、负半周均对称导通一次。如果调节RPI的阻值大小,就会改变电容C2的充电速率,从而在任意半周内使vs触发导通时间前移或后退,即改变了vs导通角的大小,相应加在电灯H两端的平均电压也随之变化,故能实现无级调光的目的。

 

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由图可见,由VD3、VD4、R、RP和C构成在正负两个半周内电阻不同的电容充电回路(当RP滑动端位于中心处除外),从而使可控硅vs在正负两个半周内导通角不同。再通过二极管VD1、VD2的引导作用,使灯Hl、H2分别工作在正负两个半周期内。当电位器RP滑动端右移时,可控硅vs在正半周内导通角增大,而负半周内导通角减小,故使灯Hl亮度增大,灯H2亮度减弱;如将电位器RP滑动端左移,可控硅vs在负半局时导通角加大,而正半周时导通角减小,则灯H1亮度减弱,而灯H2亮度加大。当电位器RP滑动端位于中心位置时,因电容C在正负两半周的充电时间相同,可控硅vs在正负两半周的导通角也相同,灯Hl和H2亮度一样。由此可见调节电位器RP,可使Hl和H2的亮度进行平滑变化过渡。

 

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图中Hl、H2分别为红、绿灯泡,用一只电位器RP来同时调节可控硅vsl、VS2的导通角。RP、Rl、R2和CI组成可控硅VS1的调压移相网络,RP、R1、R3和C2组成可控硅VS2的调压移相网络。接通电源后,电源通过Rl、RP(设RP滑动端位于中心位置)和电阻R2、R3分别向电容Cl、C2充电。改变(RI+RP+R2)xCl及(R1+RP+R3)x C2的时间常数,就能改变可控硅vsi及VS2的导通角,从而改变灯Hl、H2的亮度。由图中可以清楚地看出,当RP的滑动端向左端移动时,灯H1渐亮,同时灯H2渐暗:反之当滑动端右移时,可使灯Hl渐暗、H2新亮。

 

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