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刻蚀工艺

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把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜（如铝及其合金）上去，制造出所需的薄层图案。刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。 刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。

把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜（如铝及其合金）上去，制造出所需的薄层图案。刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。 刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。收起

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    日本金泽大学的研究揭示了氮在氢等离子体刻蚀金刚石过程中起到的关键作用，证实氮基活性物种能显著提高刻蚀速率并改善表面形貌，同时不影响晶向选择性，这对金刚石量子器件和功率电子制造有重要意义。
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  • 一文了解湿法刻蚀与干法刻蚀应用及常见异常
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    刻蚀工艺 刻蚀设备
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    本文介绍了Ion Milling（离子铣刻）的概念及其工作原理，强调了其物理性刻蚀的特点，并详细解释了低压环境下离子束如何通过惰性气体注入、RF电极激发等离子体、离子加速与定向轰击以及材料移除的过程。此外，还提到了近期联合行业专家推出的聚焦离子束（FIB）在先进半导体检测中的应用课程，适合半导体工程师、设备维护人员及科研高校师生参加。最后，提供了联系方式以便加入相关技术交流群组。
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    2025/10/23
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  • 一文了解半导体刻蚀技术及常见缺陷
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  • 深硅刻蚀：瀑布效应
    瀑布效应是深硅刻蚀过程中的一种典型侧壁缺陷，它的名字形象地描绘了沟槽侧壁在上部突然内收的轮廓变化，如同瀑布边缘那一瞬间的陡然垂落。 在理想的深硅刻蚀中，人们期望获得垂直且光滑的侧壁结构，以便后续的填充、封装或器件性能不受影响。 然而在实际工艺中，瀑布效应常常打破这一理想状态，成为必须控制的工艺难点之一。 这种效应的根源来自于刻蚀和钝化之间的平衡失控。在Bosch工艺中，刻蚀和钝化以循环的方式交替进
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  • 【半导体设备】9家非上市半导体刻蚀设备企业竞争力解析
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  • 刻蚀选择：干法与湿法
    干法刻蚀（Dry Etching）和湿法刻蚀（Wet Etching）是半导体制造中用于图形转移的重要步骤，它们各自有不同的机理、优劣势和适用场景。干法刻蚀是利用气相等离子体或反应性气体对材料进行各向异性刻蚀，其原理主要是通过等离子体、离子轰击或化学反应去除材料。包括反应性离子刻蚀（RIE）、深反应离子刻蚀（DRIE）、离子束刻蚀（IBE）等。
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  • 一文了解芯片（光刻、注入、薄膜、刻蚀）四大工艺
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    2025/06/25
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  • 在湿法工艺中，为什么TMAH刻蚀Si能够形成Σ形状
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  • 什么是晶边刻蚀（Bevel Etch）工艺？
    在介绍Bevel Etch工艺前，先简单介绍薄膜工艺：化学气相沉积（Chemical vapor deposition，CVD）是通过气体混合的化学反 应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺。硅片表面及其邻近的区域被加热起来向反 应系统提供附加能量。当化合物在反应腔中混合并进行反应时，就会发生化学气相沉积过程。原子或分子会沉积在硅片表面成膜，下图展示了化学气相成膜过程。
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  • 原子层刻蚀（ALE, Atomic Layer Etching）详解
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  • 半导体湿法刻蚀有多少工艺要求
    半导体湿法刻蚀工艺要求涉及多个方面，那么想要大家一口气说完肯定不科学。为了让大家系统充分的了解与明白，我们给大家准备 下面的详细资料解释：
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    2025/01/02
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  • 等离子体刻蚀和湿法刻蚀的区别
    等离子体刻蚀和湿法刻蚀是集成电路制造过程中常用的两种刻蚀方法，虽然它们都可以用来去除晶圆表面的材料，但它们的原理、过程、优缺点及适用范围都有很大的不同。
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    刻蚀工艺 等离子体刻蚀机
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  • 后段刻蚀工艺（BEOL ETCH）详解
    “后段刻蚀工艺（Back-End of Line ETCH，简称BEOL ETCH）”作为集成电路制造的重要环节，其复杂性与重要性毋庸置疑。BEOL是指从金属互连开始的晶圆制造阶段，主要包括金属布线、钝化层沉积及相关图形刻蚀。BEOL ETCH是针对这些材料和结构的精确图形化过程，用以实现导线、过孔（Via）等功能结构。
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