刻蚀工艺_刻蚀工艺资讯

介绍半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀。这类终点探测有助于最大限度地减少刻蚀速率波动的影响。刻蚀终点探测需要在刻蚀工艺中进行传感器和计量学测量。当出现特定的传感器测量结果或阈值时，可指示刻蚀设备停止刻蚀操作。如

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01/18 12:33

半导体行业光刻胶

薄膜太阳电池边缘刻蚀，看瑞丰恒高功率紫外激光器的

传统的边缘刻蚀技术往往面临着精度不高、能耗大、工艺周期长等诸多问题。而瑞丰恒高功率紫外激光器，作为一种创新的切割工具，以其在薄膜太阳电池边缘刻蚀中的卓越表现而备受瞩目。首先，精准切割能力。其独特的短脉冲宽度和高能量密度，能够精确掌握对薄膜太阳电池边缘的切割过程。通过使用这一先进的激光工具，操作者可以轻松实现高度精细的边缘刻蚀，确保薄膜表面的一致性和平整度，从而提高整体光吸收效率。

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2023/09/08

激光器刻蚀工艺

科研前线 | 刻蚀深浅知否？IBM工艺研发新成果

IBM工艺研发团队通过先进算法与机器学习结合传统仪器测量发放，实现不通过对整个光学模型解析的计算求解路径，相关研究成果先行刊载于IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing。

芯片揭秘

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2022/05/02

刻蚀工艺

智能刻蚀带来突破性的生产力提升

增加电路密度而不必移动到新技术节点的优势使得垂直扩展成为半导体行业的强大驱动力。但它也有一系列挑战，其中关键的挑战便是刻蚀能力。

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2022/01/24

半导体行业晶圆厂

高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。

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2022/01/10

EUV 3D NAND

加速特征相关(FD)干法刻蚀的工艺发展

SEMulator3D中可视刻蚀特征提供了一种模拟与现实刻蚀腔室接近的刻蚀速率的方法。

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2021/11/15

ALD 刻蚀工艺

不吹上天，不扁入地，还原真实的“中国刻蚀机之父——尹志尧”

“刚刚，这位中国老人，突然回国，美国人彻底慌了！” “是他，让中国半导体技术弯道超车，赶超美日！是他，让‘中国芯’实现中国制造，突破外企独霸！” “中国再一次在核心领域突破技术‘无人区’，弯道超车，率先掌握5 纳米半导体技术！” 尹志尧本人在回复科大微电子学院院长刘明院士时表示他已不堪其扰：希望媒体能够做到事实报道，不要夸大其词。