一文了解ALD技术在DRAM中的应用
本文介绍了DRAM技术的发展历程及其面临的挑战,特别是位线寄生电容(CBL)的降低策略。文章详细阐述了薄膜技术尤其是原子层沉积(ALD)技术在现代半导体制造中的重要作用,特别是在高k介电材料、金属电极、屏障和间隔器的沉积等方面的应用。ALD技术因其出色的台阶覆盖性能、卓越的均匀性和膜厚控制能力,成为解决传统薄膜沉积技术局限的理想选择。文中还探讨了ALD的基本原理、特点及其在不同领域的具体应用,包括DRAM电容和3D NAND的高深宽比结构薄膜沉积。最后,介绍了ALD沉积氮化硅薄膜所需的原料及设备,并提供了具体的制备方法和操作步骤。 关键词:DRAM,CBL,薄膜技术,原子层沉积(ALD),氮化硅薄膜