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动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。收起

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  • 美光Q2净利暴增7.7倍:DRAM涨价65%,NAND涨价80%!
    当地时间3月18日,美国存储芯片制造大厂美光(Micron)公布了至2026年2月26日的2026财年第二财季财报,营收及利润均同比暴涨数倍,对于第三财季业绩指引均超出市场预期。但由于美光将2026财年的资本支出大幅上调至250亿美元,并预计2027财年资本支出将再增加100亿美元,导致美光股价在盘后交易中一度大跌6%。
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