EUV光刻

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极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常称作EUV光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。

极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常称作EUV光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。收起

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  • 千亿光刻赛道,张江跑出“唯一独苗”!
    朗道科技,一支清华校友团队,历经艰辛,从家庭实验室起步,成功研制出低功率EUV光源系统,打破国外垄断,成为中国EUV光源赛道中的独苗选手。他们通过自主开发仿真软件和硬件产品,形成了完整的研发闭环,获得了数千万元融资,立志建立中国的EUV生态系统,推动国产半导体技术进步。
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  • EUV光刻机的发光原理
    EUV光刻采用激光等离子体光源(LPP),通过高速喷射液态锡并用高功率激光将其加热至高温等离子体状态,从而发射出具有极高能量的13.5nm极紫外光。由于该波长的光子能量极高,可以电离几乎所有元素的原子外层电子,因此不能用传统透镜或气体激光方式产生。EUV光刻机的核心光源机制称为激光等离子体光源(LPP),其基本过程包括生成锡微滴、高功率激光轰击锡微滴使其成为高温等离子体,并最终发射出特定能量的13.5nm极紫外光。EUV光无法透过任何物质,所以在真空中运行并通过多层反射镜进行收集和成像。
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  • EUV光刻的三大难题
    EUV光刻面临三大挑战:高灵敏度、高分辨率和低LER。灵敏度指最小曝光能量,影响产能;分辨率决定最小特征尺寸,追求极致;LER衡量图形边缘平整度,直接关联良率。三者相互制约,需在吸光率、电子扩散和膜层均匀性间找到平衡。
  • EUV光刻,新的对手
    最近,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)宣布开发出了一种名称为大孔径铥 (BAT) 激光器,这种激光器比现在行业内的标准CO2激光器将EUV光源提高约10倍。
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  • 日本提出EUV光刻新方案:光源功率可降低10倍,成本将大幅降低!
    8月7日消息,近日日本冲绳科学技术大学(OIST)的Tsumoru Shintake教授带领的研究团队提出了一项全新、大幅简化的面向极紫外(EUV)光刻机的双反射镜系统。相比传统的至少需要六面反射镜的配置,新的光学投影系统仅使用了两面反射镜,在确保系统维持较高的光学性能的同时,能让EUV光线以超过初始值10%的功率到达晶圆,相比传统系统中仅1%的功率来说,提了高到了原来的10倍,可说是一大突破。
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