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一文了解新型晶体管(环栅晶体管GAA)制造技术
本文探讨了CMOS晶体管的发展趋势,特别是针对短沟道效应的解决方案。介绍了新型材料(如GaAs、InGaAs、InAs等)和结构(如FinFET、GAAFET)的应用,以及英特尔和台积电在制程技术上的创新。重点阐述了垂直型环栅晶体管(GAAFET)的优势,包括更优的沟道形貌、不受光刻限制的栅极长度、更高的集成密度和更低的功耗。文中还详细介绍了GAAFET的制造工艺,对比了水平型和垂直型环栅晶体管的特点,并指出现有技术面临的挑战和改进方向。
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刚刚,三星电子首个3nm量产官宣!
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芯东西
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2022/06/30
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科研前线 | 深度学习助力GAA器件设计,中国台湾NYCU新成果发布
近期落幕的2022 VLSI-TSA上,中国台湾阳明交通大学李义明团队发表了应用于GAA晶体管器件的人工神经网络模型,该模型基于深度学习技术开发的,可针对功函数涨落、随机掺杂波动和界面陷阱波动等影响器件结构的随机参数进行预测。
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芯片揭秘
276
2022/03/04
GAA晶体管
GAAFET
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