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半导体制造

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    0.18微米工艺是一个成熟的工艺节点,兼具成本效益和性能优势。它的技术特点包括STI隔离技术、Poly-SiON栅极堆栈、LDD源漏结构、以及逐步引入铜互连和低k材料等。尽管如今已不是最前沿的制程,但在功率器件、模拟电路、嵌入式存储等领域仍然具有强大的生命力。通过不断优化工艺流程和良率控制,0.18微米工艺仍然是许多中低端芯片的理想选择。
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    0.13um工艺节点是半导体制造历史上的一个重要里程碑,它通过精密的工程设计和创新的工艺技术,实现了性能、功耗和成本之间的平衡。这一节点在嵌入式闪存、低泄漏SRAM和高压CMOS等应用中发挥了重要作用,并为后续的技术发展奠定了基础。
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    8月9日,拜登政府头号政绩——美国芯片法案推出2周年之际,美国白宫发布了一个标题和行文都很浮夸的文件——《事实证明:《芯片与科学法案》颁布两年后,拜登-哈里斯政府将半导体供应链带回美国的政策取得值得庆祝的历史性成就,它创造了就业,支持了创新,而且保障了国家安全》。
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    两年前,美国总统拜登签署了《芯片和科学法案》(CHIPS and Science Act,简称《芯片法案》),旨在重建美国在半导体制造领域的领导地位,支撑全球供应链,并加强国家和经济安全如今拜登任期即将结束,而在他的任期内极力推动和落地了《芯片法案》。如今美国芯片法案签署两周年,效果如何?