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刚刚,三星电子首个3nm量产官宣!
今天上午,三星电子官宣,已开始量产基于GAA晶体管(Gate-All-Around FET,全环绕栅极)结构的3nm芯片。
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2022/06/30
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科研前线 | 深度学习助力GAA器件设计,中国台湾NYCU新成果发布
近期落幕的2022 VLSI-TSA上,中国台湾阳明交通大学李义明团队发表了应用于GAA晶体管器件的人工神经网络模型,该模型基于深度学习技术开发的,可针对功函数涨落、随机掺杂波动和界面陷阱波动等影响器件结构的随机参数进行预测。
芯片揭秘
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2022/05/31
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科研前线 | 芯片自热新解,韩国团队试水GAA器件全接触结构
近日,韩国首尔大学团队发表了针对基于三沟道GAAFET器件的Wrap-Around Contact结构改进的研究,其成果表明WAC结构对于降低寄生电阻和自热效应,提升器件性能和可靠性方面确有成效,将助力先进工艺器件结构设计的改进。
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2022/03/04
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泛林集团的选择性刻蚀设备组合正在推进芯片行业下一个重要的技术拐点
在过去的十年里,对于体积更小、密度更高、性能更强大的芯片的需求一直在推动半导体制造商从平面结构向越来越复杂的三维(3D)结构转型。原因很简单,垂直堆叠可以实现更高的密度。
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2022/02/28
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科研前线 | 华为-imec共同探索GAA晶体管关键工艺环节
Inner spacer制造是GAA器件中的关键步骤之一,该环节与晶体管沟道应力、电路寄生参数等影响器件性能的重要因素息息相关。
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