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  • 警惕“结构性抽血”：HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考
    2026年2月6日，供应链确认三星电子 HBM4 正式通过英伟达（NVIDIA）认证，将于2月第三周（农历新年假期后）启动量产。为了在这一代产品上追平竞争对手，三星采用了激进的技术组合：1c nm DRAM 工艺配合 4nm 逻辑 Base Die（基础裸片）。
    326
    8小时前
    dram HBM4
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  • HBM4内存大单被瓜分！
    HBM战局再起波澜！美光科技提前量产并出货HBM4，三星紧随其后推出业界首款商用HBM4，SK海力士面临巨大竞争压力。美光HBM4数据处理速度超11Gbps，三星HBM4采用12层堆叠技术，容量最高可达48GB。尽管市场需求旺盛，但存储芯片巨头们仍需平衡HBM4与通用DRAM的生产策略。
    292
    12小时前
    HBM4
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  • 美光官宣：HBM4已开始出货！驳斥传闻！
    美光科技宣布，其第六代高带宽内存（HBM4）已开始出货，直接驳斥了近期关于其“退出”英伟达供应链的传闻。 英伟达下一代人工智能加速器Vera Rubin计划于今年下半年发布，其HBM4芯片的供应竞争异常激烈。美光否认了市场此前关于三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应的预期。 美光首席财务官马克·墨菲（Mark Murphy）于当地时间11日在美国研究公司Wolf Research主办的半导体会议
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    02/13 09:29
    芯片 HBM4
  • 三星年后将率先量产HBM4
    三星电子将在农历新年假期后率先实现第六代高带宽内存“HBM4”的量产，成为全球首家实现量产的公司。HBM4的速度比JEDEC标准快37%，单个堆叠的内存带宽高达3TB/s，容量可达48GB。三星电子计划以HBM4为起点，加速重夺DRAM霸主地位。
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    02/10 10:26
    三星 HBM4
  • SK海力士HBM4已锁定英伟达70%供应量
    芯片说ICTIME 1月28日讯，随着今年半导体行业对下一代高带宽内存（HBM）HBM4供应的竞争日趋激烈，据报道，SK海力士已锁定NVIDIA超过三分之二的供应。 这进一步巩固了SK海力士凭借其成熟的量产能力和客户合作关系，继续保持其在第六代HBM市场领先地位的前景。 据业内人士1月28日透露，NVIDIA今年已将其约三分之二的HBM4供应分配给SK海力士，用于其下一代人工智能（AI）平台Ver
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    01/29 15:04
    SK海力士 HBM4
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