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HBM4

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  • 三星HBM4销额已突破10亿美元
    三星电子第六代高带宽内存(HBM4)作为全球首款量产产品，营收首次突破10亿美元，创下行业纪录。预计该产品上市首年(今年)，营收就将超过100亿美元。三星电子计划在年底前大幅提升HBM4的供应量。得益于HBM4的强劲表现，三星电子预计也将迅速扩大其在整体HBM市场的份额。
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    06/24 23:09
    三星电子 存储
  • 三大存储巨头通过英伟达HBM4认证
    NVIDIA CEO黄仁勋宣布三星电子、SK海力士和美光内存获准生产第六代高带宽内存（HBM4），用于即将发布的AI加速器“Vera Rubin”。此消息表明NVIDIA正加快AI基础设施建设，预计下半年将有更多活动展开。
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    06/08 22:45
    三星 SK海力士
  • 存储巨头错位冲刺：谁在进攻，谁在防守？
    英伟达Rubin架构即将发布，HBM4产能爬坡冲刺。三星上调HBM4逻辑裸片代工价格，SK海力士降低出货量，美光利用能效差异化寻求突破。HBM4量产改变了行业竞争维度，三星、SK海力士、美光各有策略应对挑战。
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    04/22 17:03
    HBM4
    存储巨头错位冲刺：谁在进攻，谁在防守？
  • HBM4 突然“改道”：被寄予厚望的混合键合，为何临阵推迟？
    AI时代，HBM作为核心内存方案，原本预计HBM4需采用混合键合来实现16层堆叠。然而，JEDEC修改规则后，HBM4仍使用微凸点技术，延迟至HBM4E才引入混合键合。尽管混合键合具有显著优势，但由于成本高昂和良率难题，微凸点方案暂时胜出。HBM4不仅提升了带宽和能效，还增加了定制化底die和安全性。混合键合虽非立即采用，但其潜力巨大，预计将在HBM5阶段全面普及。
    1795
    04/20 16:03
    HBM4
  • 2026内存拐点：HBM4与4F² DRAM重构AI硬件格局(IMW 报告解读)
    芯科技圈研读应用材料IMW关于高级DRAM和HBM的材料、器件和系统协同优化报告，深入探讨了八个关键技术问题及其解决方案：混合键合：AI算力需求推动HBM从微凸块转向混合键合，低温铜键合的关键技术挑战在于CuO最小化与高扩散率平衡，以及TSV引起的量产缺陷。垂直沟道晶体管：DRAM从6F²过渡到4F²需要垂直沟道晶体管来提高密度，平面结构无法满足缩微要求，必须采用垂直自对准晶体管（S2CAT/VCT）。
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    04/01 17:09
    dram AI硬件
  • SK海力士CEO：按客户要求时间供应HBM4
    SK海力士（000660）CEO郭鲁正于3月25日宣布，公司已完成第六代高带宽内存（HBM4）的验证，并正按客户要求的时间表进行供应。 在今天上午于京畿道利川市举行的例行股东大会上，郭鲁正CEO表示：“经过客户验证，我们目前正按客户要求的时间表进行供货，没有任何误差。” 郭鲁正指出：“HBM市场的竞争确实非常激烈，其竞争格局与DRAM或NAND闪存市场类似。”但他补充道：“我们将通过卓越的品质，持
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    03/26 21:55
    SK海力士 HBM4
  • 三星将首次供OpenAI HBM4
    三星电子将首次独家向总部位于美国的全球最大人工智能（AI）公司OpenAI供应下一代高带宽内存（HBM4）。OpenAI计划将三星电子的HBM4应用于其第一代AI半导体Titan芯片。继英伟达之后，三星电子也开始向OpenAI供应HBM4，这被认为将巩固其在先进AI芯片市场的领先地位。 据业内人士3月19日透露，三星电子已决定在今年下半年独家向OpenAI供应容量高达8亿Gb的HBM4（12层产品
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    03/21 20:26
    半导体 OpenAI
  • 美光HBM4已开始量产
    当地时间3月16日，美光通过官方新闻稿宣布，其36GB 12层堆叠（12H）HBM4显存已开始量产，并表示该产品专为NVIDIA下一代AI平台“Vera Rubin”而设计。 该消息是在NVIDIA年度开发者大会GTC 2026期间发布的，GTC 2026目前正在美国加利福尼亚州圣何塞举行。 这款HBM4显存支持超过11 Gb/s的引脚速度和超过2.8 TB/s的内存带宽。与上一代 HBM3E（第
    1304
    03/19 22:51
    芯片 HBM4
  • 存储巨头们的下一代火力交锋，HBM4与高性能SSD大放异彩
    在近日举办的英伟达GTC 2026大会上，英伟达CEO黄仁勋宣告AI已全面进入“推理时代”，并发布了包括Vera Rubin超级芯片、Groq 3 LPU（语言处理单元）、Feynman架构等在内的多项重磅成果。
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    03/19 09:20
    SSD HBM4
  • SK海力士将向英伟达交付最终HBM4样品
    SK海力士即将向NVIDIA交付其第六代高带宽内存（HBM4）的最终样品。该样品自去年第四季度以来经过多次设计修改和优化，以满足NVIDIA 11.7 Gb/s的最高数据传输速度要求，被视为通过NVIDIA质量测试的最后一道关卡。业内人士认为，SK海力士的命运取决于最终样品的认证结果。如果认证通过，本月即可实现HBM4的全面量产；但如果认证再次延迟，则可能导致三星电子失去其“领先的HBM4供应商”
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    03/11 21:23
    SK海力士 HBM4
  • 英伟达将访问三星HBM4工厂
    英伟达近期对三星电子天安封装工厂的一系列短期访问引发了广泛猜测，认为其下一代HBM4（高带宽内存）供应链评估已进入最后阶段。业内人士推测，此次访问并非简单的合作关系评估，而可能是为了验证英伟达用于其下一代人工智能加速器VeraRubin的HBM4量产和封装生产线的实际性能。 关键不在于“性能数据”，而在于“交付性能”。鉴于三星电子强调HBM4的量产及其高达13Gbps（13吉比特/秒）的传输速度承
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    03/10 21:25
    三星 英伟达
  • 三星HBM4E计划导入2nm，下半年送样
    三星电子通过自研4nm工艺和2nm晶圆代工技术，力争在HBM4E领域保持领先地位，与竞争对手拉开差距。
    1981
    03/03 10:04
    三星电子 HBM4
  • 警惕“结构性抽血”：HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考
    2026年2月6日，供应链确认三星电子 HBM4 正式通过英伟达（NVIDIA）认证，将于2月第三周（农历新年假期后）启动量产。为了在这一代产品上追平竞争对手，三星采用了激进的技术组合：1c nm DRAM 工艺配合 4nm 逻辑 Base Die（基础裸片）。
    2774
    02/14 14:37
    dram HBM4
    警惕“结构性抽血”：HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考
  • HBM4内存大单被瓜分！
    HBM战局再起波澜！美光科技提前量产并出货HBM4，三星紧随其后推出业界首款商用HBM4，SK海力士面临巨大竞争压力。美光HBM4数据处理速度超11Gbps，三星HBM4采用12层堆叠技术，容量最高可达48GB。尽管市场需求旺盛，但存储芯片巨头们仍需平衡HBM4与通用DRAM的生产策略。
    1453
    02/14 10:27
    HBM4
    HBM4内存大单被瓜分！
  • 美光官宣：HBM4已开始出货！驳斥传闻！
    美光科技宣布，其第六代高带宽内存（HBM4）已开始出货，直接驳斥了近期关于其“退出”英伟达供应链的传闻。 英伟达下一代人工智能加速器Vera Rubin计划于今年下半年发布，其HBM4芯片的供应竞争异常激烈。美光否认了市场此前关于三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应的预期。 美光首席财务官马克·墨菲（Mark Murphy）于当地时间11日在美国研究公司Wolf Research主办的半导体会议
    6917
    02/13 09:29
    芯片 HBM4
  • 三星年后将率先量产HBM4
    三星电子将在农历新年假期后率先实现第六代高带宽内存“HBM4”的量产，成为全球首家实现量产的公司。HBM4的速度比JEDEC标准快37%，单个堆叠的内存带宽高达3TB/s，容量可达48GB。三星电子计划以HBM4为起点，加速重夺DRAM霸主地位。
    847
    02/10 10:26
    三星 HBM4
  • SK海力士HBM4已锁定英伟达70%供应量
    芯片说ICTIME 1月28日讯，随着今年半导体行业对下一代高带宽内存（HBM）HBM4供应的竞争日趋激烈，据报道，SK海力士已锁定NVIDIA超过三分之二的供应。 这进一步巩固了SK海力士凭借其成熟的量产能力和客户合作关系，继续保持其在第六代HBM市场领先地位的前景。 据业内人士1月28日透露，NVIDIA今年已将其约三分之二的HBM4供应分配给SK海力士，用于其下一代人工智能（AI）平台Ver
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    01/29 15:04
    SK海力士 HBM4
  • SK海力士推出16层HBM4，AI推理能力提升2.4倍
    SK海力士（股价76.7万韩元，下跌1.2万韩元，涨幅1.59%）宣布，其新一代高带宽内存（HBM）——16层HBM4，与上一代产品（8层HBM3E）相比，AI推理性能最高可提升两倍。预计这将通过提升带宽和容量，同时改变AI服务的速度和成本结构。
    1558
    01/26 10:51
    SK海力士 HBM4
  • 巨头抢滩，HBM4倒计时
    2026年存储巨头竞争激烈，HBM4成为焦点。SK海力士、三星和美光分别展示了各自的新一代HBM4产品，其中SK海力士采用16层堆叠和MR-MUF技术，三星在自家4nm工艺上生产逻辑芯片，美光则采用1c DRAM工艺技术。产能格局上，SK海力士产能增长显著，美光对HBM市场前景乐观，三星则相对谨慎。全球布局方面，各大厂商纷纷加大投资，扩充产能，以应对AI驱动的市场需求。
    1646
    01/26 09:27
    HBM4
    巨头抢滩，HBM4倒计时
  • 三星HBM4将率先通过认证，计划4月量产
    NVIDIA设计变更导致HBM4量产推迟至第一季度末后，三星电子有望最快通过NVIDIA认证测试。三星电子采用1nm工艺提升HBM4速度和能效，预计成为最早量产HBM4的厂商。
    921
    01/12 10:25
    NVIDIA 三星电子

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