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RF功率市场摆脱低潮,GaN技术接班LDMOS

市研机构Yole于7月发布「2017年RF功率市场与科技报告」指出,RF功率市场近期可望由衰转盛,并以将近二位数的年复合成长率(GAGR)迅速成长;同时,氮化镓(GaN)将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS),成为市场主流技术。

那些挖坑的客户 | 高薪挖人?这可能是一个老板与客户做的局
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看到这个话题,想想自己已经在通信这个大坑里抹黑滚爬了7年多了。那些给我挖坑的客户,我谢谢你们对我的培养。

Ampleon将于EDI CON展示LDMOS和GaN RF PA产品组合及大功率RF解决方案

荷兰奈梅亨,2017年4月12日 – 安谱隆半导体(Ampleon)今日宣布,该公司即将参加将于2017年4月25日至27日在中国上海举行的电子设计创新大会(EDI CON)。

宽频设计不能满足?来看看这款4G小基站用LDMOS功放
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随着人们对数据速率要求越来越高,直接导致无线 通信系统带宽的需求也在逐步增加,也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。2G、3G、4G技术的相继推出,使移动业务由单一形态逐渐过渡到可同时支 持语音、数据和视频等多种业务并举的盛况。

Ampleon提供使用高成本效益模压塑料封装的极稳固LDMOS RF功率晶体管

Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶体管产品组合,采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。

Ampleon :全球领先的射频电源合作伙伴

Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。

MACOM:光通信领域和硅衬底氮化镓产品应用领域两手抓

随着移动互联网的发展,通信速度变得越来越快,无线传输越来越重要,每个人低头看手机的频率越来越高,我们越来越依赖于网络,同时我们也通过手持终端创造了更多的数据上传到网上,因此大数据的传输和存储给运营商带来巨大的挑战。中国提出了“宽带中国”的战略,同时各大运营商已经开始大规模安装100G干线网络,这给支持高速网络传输的半导体厂商也带来了顺势拓

覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA两个频段的大功率330W LDMOS,器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射频功率放大器。

飞思卡尔推出全新的射频功率LDMOS放大器

飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的宽带射频功率放大器 - 新款Airfast AFIC901N LDMOS射频集成器件和AFT05MS003N LDMOS晶体管。这两款产品的运行电压为3.6V或7.5V,主要适用于无线电传输范围的功耗和电池使用寿命的高效性为重要设计要求的应用。

GaN在射频功率领域会所向披靡吗?

氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为

一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor,横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点,被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率 LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比,已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。

飞思卡尔发布LDMOS首批 11个射频功率产品

射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市,这个产品可满足美国国防电子产品应用的要求,这是 2013年6月公布的公司射频功率业务战略防御计划发布的首套产品。

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、 栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

两大优势将继续为飞思卡尔射频保驾护航

飞思卡尔射频技术论坛日前在上海证大丽笙酒店成功举办,作为飞思卡尔5大核心产品部门之一,飞思卡尔射频虽然没有像微控制器那样被大家所广泛熟悉,但是凭借着技术和服务上的巨大优势,飞思卡尔射频一直保持着在蜂窝基础设施领域绝对的领先地位。

BLF188XR:超耐用 LDMOS 射频功率晶体管性能介绍

恩智浦近日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计,真实条件下耐用性更强, 能够在5dB压缩点承受超过65:1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值输出功率,其工作电压可高达60 V,并且仍能通过极为严格的耐用性测试。

恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,BLC8G27LS-160AV作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。业界最完善的TD-LTE LDMOS产品组合,改进无线基站的性能、灵活性和经济性

飞思卡尔RF业务部对美国航空航天和国防市场做出长期承诺

飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布了一项重大举措,主要展示其新型和现有商用RF功率和微波RF器件如何满足美国航空航天和国防(A&D)市场的需求。

意法半导体(ST)推出采用独有先进技术的新系列射频功率芯片,进一步提高在射频功率市场的影响力

强化的宽带放大器先进技术以更经济实惠的价格实现更高的无线系统性能

电平位移电路应用于负电源的设计

本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0~8V低压逻辑输入到8~-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI

飞思卡尔面向航空航天工业与商业应用扩大RF LDMOS 产品组合

30V和50V LDMOS功率晶体管在不匹配的应用中提供更高的增益,更高的效率和增强的耐用性能