LDMOS

• 谈一谈LDMOS功放的设计局限性

  尽管氮化镓晶体管因其宽频段特性而日益普及，但在HF至UHF区间内，LDMOS技术依然占据主导地位，特别是在抗冲击能力方面表现出色。随着技术进步，LDMOS器件的功率输出和耐压等级不断提升，但仍受限于芯片尺寸和封装规格。设计师可通过采用新一代紧凑布局器件、改进工艺、优化匹配电路等方式提升功率，同时考虑使用更高耐压和耐温的元件，并采取有效的散热措施。

  通信射频老兵

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  01/08 10:32

  功率放大器 LDMOS

  
• 射频功率领域的“三国杀”：GaN vs GaAs vs LDMOS

  氮化镓（GaN）的崛起真是让人没法忽视，它甚至被叫做“会取代其他所有技术的存在”，这道理也不难懂：氮化镓能把高功率、高增益和高效率这几个优点全占了，同时还能在高偏置电压下工作，这样就能降低电流消耗。在用于射频功率生成的半导体材料里，它的功率密度也是最高的，而且能在多个倍频程的带宽上运行。

  通信射频老兵

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  2025/07/30

  GaN 射频功率

  
• 射频硅基氮化镓：两个世界的最佳选择

  当世界继续努力追求更高速的连接，并要求低延迟和高可靠性时，信息通信技术的能耗继续飙升。这些市场需求不仅将5G带到许多关键应用上，还对能源效率和性能提出了限制。

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  2022/01/26

  射频 5G网络
• 意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管

  意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。

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  2021/08/13

  意法半导体 射频
• 埃赋隆半导体推出全新高功能通用宽带LDMOS晶体管，以适应广播电视、工业、科学和医疗应用

  埃赋隆半导体（Ampleon）宣布推出两款新的宽带放大器系列——额定电压为32V的BLP15M9Sxxx器件和额定电压为50V的BLP15H9Sxxx器件， 從而进一步加强其先进而又高性价比的射频功率放大器解决方案的产品组合。

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  2021/07/07

  晶体管 LDMOS
• 可增强小基站和mMIMO驱动器系统的全集成型Doherty功率放大器

  埃赋隆半导体（Ampleon）基于其先进的LDMOS晶体管技术并利用高度集成，针对下一代小基站基础设施和大规模MIMO实施提供了全面的射频功率放大器器件组合。

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  2021/07/01

  功率放大器 放大器
• RF功率市场摆脱低潮，GaN技术接班LDMOS

  市研机构Yole于7月发布「2017年RF功率市场与科技报告」指出，RF功率市场近期可望由衰转盛，并以将近二位数的年复合成长率（GAGR）迅速成长；同时，氮化镓（GaN）将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS），成为市场主流技术。

  与非网记者

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  2017/07/27

  GaN LDMOS
• 那些挖坑的客户 | 高薪挖人？这可能是一个老板与客户做的局

  看到这个话题，想想自己已经在通信这个大坑里抹黑滚爬了7年多了。那些给我挖坑的客户，我谢谢你们对我的培养。

  与非网记者

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  2017/04/28

  半导体 工程师
• MACOM：光通信领域和硅衬底氮化镓产品应用领域两手抓

  随着移动互联网的发展，通信速度变得越来越快，无线传输越来越重要，每个人低头看手机的频率越来越高，我们越来越依赖于网络，同时我们也通过手持终端创造了更多的数据上传到网上，因此大数据的传输和存储给运营商带来巨大的挑战。中国提出了“宽带中国”的战略，同时各大运营商已经开始大规模安装100G干线网络，这给支持高速网络传输的半导体厂商也带来了顺势拓

  咖啡不解困

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  2015/11/09

  GaN LDMOS
• 两大优势将继续为飞思卡尔射频保驾护航

  飞思卡尔射频技术论坛日前在上海证大丽笙酒店成功举办，作为飞思卡尔5大核心产品部门之一，飞思卡尔射频虽然没有像微控制器那样被大家所广泛熟悉，但是凭借着技术和服务上的巨大优势，飞思卡尔射频一直保持着在蜂窝基础设施领域绝对的领先地位。

  岳浩

  2013/10/11

  射频 飞思卡尔
• LDMOS是什么 DMOS和LDMOS器件区别

  LDMOS代表“Lateral Double-diffused MOSFET（侧向双扩散MOSFET）”。它是一种高电压功率MOSFET器件，广泛应用于无线通信、广播电视、雷达、医疗和工业等领域。LDMOS具有低失真、高效率、高输出功率、高可靠性和低成本等优点，因此在功率放大器的设计中得到了广泛的应用。

  eefocus_3781508

  4185

  2023/06/07

  LDMOS DMOS

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