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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册

2023/04/25
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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册

RF功率LDMOS晶体管 N通道增强模式侧向MOSFET 此63瓦对称多尔蒂射频功率LDMOS晶体管设计用于覆盖1805至1880 MHz频段的蜂窝基站应用。

  • 典型的多尔蒂单载波W-CDMA性能：VDD = 28伏特，IDQA = 1000毫安培，VGSB = 1.2伏直流，Pout = 63瓦平均值，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01%概率的CCDF。

特点：

  • 在对称多尔蒂配置下进行生产测试
  • 更大的负门源电压范围，以改善C类操作
  • 设计用于数字预畸变误差校正系统
  • 带卷和卷筒。R6后缀= 150个单位，56毫米带宽，13英寸卷筒

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XAL5050-103MEC 1 Coilcraft Inc General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Composite-Core, SMD, 2221, CHIP, 2221, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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CRCW04021K00FKEE 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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320563 1 TE Connectivity (320563) TERMINAL,PIDG R 16-14 1/4

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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