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RF功率LDMOS晶体管 N通道增强模式侧向MOSFET 此63瓦对称多尔蒂射频功率LDMOS晶体管设计用于覆盖1805至1880 MHz频段的蜂窝基站应用。
特点：
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82462G4103M000 | 1 | TDK Corporation | 1 ELEMENT, 10uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, ROHS COMPLIANT |
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$0.89 | 查看 | |
| MMBT3904 | 1 | Secos Corporation | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$0.04 | 查看 | |
| BAT54HT1G | 1 | Fairchild Semiconductor Corporation | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-76, 2 PIN |
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$0.19 | 查看 |
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