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RF功率LDMOS晶体管 N通道增强模式侧向MOSFET 此63瓦对称多尔蒂射频功率LDMOS晶体管设计用于覆盖1805至1880 MHz频段的蜂窝基站应用。
特点：
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FT0H104ZF | 1 | TOKIN Corporation | Electric Double Layer Capacitor, Aluminum, 5.5V, 80% +Tol, 20% -Tol, 100000uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED |
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$2.55 | 查看 | |
| 1N4148WQ-7-F | 1 | Diodes Incorporated | Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
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$0.2 | 查看 | |
| SMCJ36CA | 1 | Pulse Electronics Corporation | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 36V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN |
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$0.37 | 查看 |
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