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扫码加入AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册
RF功率LDMOS晶体管 N通道增强模式侧向MOSFET 此63瓦对称多尔蒂射频功率LDMOS晶体管设计用于覆盖1805至1880 MHz频段的蜂窝基站应用。
特点：
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL31A106KBHNNNE | 1 | Samsung Electro-Mechanics | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 10uF, 50V, ±10%, X5R, 1206 (3216 mm), 0.063"T, -55º ~ +85ºC, 7" Reel |
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$0.32 | 查看 | |
| 2N7002PS,115 | 1 | Nexperia | 2N7002PS - 60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET@en-us TSSOP 6-Pin |
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$0.19 | 查看 | |
| BTA12-600BRG | 1 | STMicroelectronics | 12A standard and Snubberless™ Triacs |
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$0.97 | 查看 |
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