这些高坚固性的设备是设计用于高驻波比工业(包括激光和等离子体激励器),广播(模拟和数字),航空航天和无线电/陆地移动应用。它们是不匹配的输入和输出设计允许宽频率范围利用,在1.8和600 MHz。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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0039012025 | 1 | Molex | Rectangular Power Connector, 2 Contact(s), Female, Crimp Terminal, Receptacle, LOW HALOGEN, ROHS AND REACH COMPLIANT |
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$0.6 | 查看 | |
BSS123TA | 1 | Zetex / Diodes Inc | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
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$0.57 | 查看 | |
NVTFS4C25NTAG | 1 | onsemi | Single N-Channel Power MOSFET 30V, 22A, 17mΩ, WDFN8 3.3x3.3, 0.65P, 1500-REEL |
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$0.61 | 查看 |
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