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MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

2023/04/25
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MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

这些高坚固性的设备是设计用于高驻波比工业(包括激光和等离子体激励器),广播(模拟和数字),航空航天和无线电/陆地移动应用。它们是不匹配的输入和输出设计允许宽频率范围利用,在1.8和600 MHz。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
BSS123TA 1 Zetex / Diodes Inc Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
$0.57 查看
0395000003 1 Molex Strip Terminal Block, 8A, 1.31mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT
$1.71 查看
SMMBT3906LT1G 1 onsemi 200 mA, 40 V PNP Bipolar Junction Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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