AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

2023/04/25 作者：恩智浦

234

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

适用于频率从136到520 MHz的移动双向无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使它们非常适用于移动无线电设备中大信号的共源放大器应用。

特点：

适用于136到520 MHz的操作
无与伦比的输入和输出，使其可以广泛利用于不同频率范围
集成ESD保护
集成稳定性增强
宽带 - 全频段全功率支持：
- 136-174 MHz
- 380-450 MHz
- 450-520 MHz
225℃可靠的塑料封装
出色的热性能
高线性度，适用于TETRA、SSB、LTE
成本效益高的过模制塑料封装
带卷轴胶带包装。R1后缀 = 500个单位，胶带宽度24 mm，13英寸卷轴。

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
1803277	1	Phoenix Contact	Barrier Strip Terminal Block, 8A, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT		ECAD模型下载ECAD模型		$0.92	查看
PMR205AB6100M033R30	1	Evox Rifa / KEMET	Film Capacitor, Paper, 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 0.1uF, 7320,				$2.09	查看
C0805C104J5RACTU	1	KEMET Corporation	Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 50V, ±5%, X7R, 0805 (2012 mm), -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Unmarked		ECAD模型下载ECAD模型		$0.18	查看

原创声明：本文为恩智浦原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

相关推荐

A5G26S004NAirfast 射频功率 GaN 晶体管
资料恩智浦
1098
2025/01/16
AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册
资料恩智浦
518
2023/04/25
AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册
资料恩智浦
358
2023/04/25
MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表
资料恩智浦
342
2023/04/25
AFT05MP075NR1，AFT05MP075GNR1 宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表
资料恩智浦
505
2023/04/25
MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
资料恩智浦
260
2023/04/25
MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册
资料恩智浦
304
2023/04/25

方案定制

方案开发定制化，2000+方案商即时响应！

相关资料

TA的热门作品