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AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

2023/04/25
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AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

适用于频率从136到520 MHz的移动双向无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使它们非常适用于移动无线电设备中大信号的共源放大器应用。

特点：

  • 适用于136到520 MHz的操作
  • 无与伦比的输入和输出，使其可以广泛利用于不同频率范围
  • 集成ESD保护
  • 集成稳定性增强
  • 宽带 - 全频段全功率支持：
    • 136-174 MHz
    • 380-450 MHz
    • 450-520 MHz
  • 225℃可靠的塑料封装
  • 出色的热性能
  • 高线性度，适用于TETRA、SSB、LTE
  • 成本效益高的过模制塑料封装
  • 带卷轴胶带包装。R1后缀 = 500个单位，胶带宽度24 mm，13英寸卷轴。

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MLZ2012N6R8LT000 1 TDK Corporation General Purpose Inductor, 6.8uH, 20%, Ferrite-Core, 0805,

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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