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AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册

2023/04/25
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AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册

AFT09MS031N和AFT09MS031GN是专为频率从764到941 MHz的移动双向无线电应用设计的。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,非常适合在移动无线电设备中作为大信号、共源放大器应用的理想选择。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
GRM1885C1H102JA01D 1 Murata Manufacturing Co Ltd Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 1000pF, 50V, ±5%, C0G/NP0, 0603 (1608 mm), 0.031"T, -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Paper Tape

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NLV25T-100J-PF 1 TDK Corporation General Purpose Inductor, 10uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1008, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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CRCW040210R0FKEDC 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 10ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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