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AFT09MS031N和AFT09MS031GN是专为频率从764到941 MHz的移动双向无线电应用设计的。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，非常适合在移动无线电设备中作为大信号、共源放大器应用的理想选择。
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扫码加入AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册
AFT09MS031N和AFT09MS031GN是专为频率从764到941 MHz的移动双向无线电应用设计的。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，非常适合在移动无线电设备中作为大信号、共源放大器应用的理想选择。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW0402100RFKED | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 100ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.1 | 查看 | |
| MMBT3906LT1G | 1 | onsemi | 200 mA, 40 V PNP Bipolar Junction Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL |
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$0.06 | 查看 | |
| CL31B106KBHNNNE | 1 | Samsung Electro-Mechanics | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 10uF, 50V, ±10%, X7R, 1206 (3216 mm), 0.063"T, -55º ~ +125ºC, 7" Reel |
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$0.1 | 查看 |
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