• 资料介绍
  • 推荐器件
  • 相关推荐
申请入驻 产业图谱

AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册

2023/04/25
518
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册

AFT09MS031N和AFT09MS031GN是专为频率从764到941 MHz的移动双向无线电应用设计的。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,非常适合在移动无线电设备中作为大信号、共源放大器应用的理想选择。

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
SZESD9101P2T5G 1 onsemi Low Capacitance ESD Protection Diodes for High Speed Data Lines, 8000-REEL

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.49 查看
RK73Z2ATTD 1 KOA Corporation Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0ohm, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.01 查看
175019-1 1 TE Connectivity PL EX MKII 187 REC 22-16AWG PTBR

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.08 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

查看更多

相关推荐