浮思特| 什么是SiC MOSFET？

碳化硅的本质

碳化硅可能不常与半导体器件联系在一起，但它已经存在多年。在20世纪20年代甚至更早的水晶收音机时代，就已经开始使用碳化硅或者叫碳化硅晶体作为探测器件，这些后来演化为了第一批广泛应用的硅碳（SiC）二极管。

碳化硅是通过高温下将二氧化硅（硅的一种形式）与碳结合而成的。通过精炼和加工，制备出碳化硅器件所需的原始材料。这些电子元件可以包括SiC二极管、SiCFET或SiCMOSFET等。

由于其特殊属性，碳化硅如今被广泛应用于许多功率器件的半导体材料。其关键特性之一是极高的击穿电场强度，这使得制造高电压半导体器件成为可能，特别是SiCMOSFET。

碳化硅MOSFET的采用

碳化硅技术并没有像许多其他新技术一样立即被广泛采用，它需要时间来发展和成熟。

尽管碳化硅在电子领域已经使用多年，例如20世纪20年代的水晶无线电探测器，甚至更早的无线电信号探测中使用碳化硅（也称为碳化硅），但要将这项技术变得可行并投入商业应用还需要一些时间。

碳化硅不像硅那样易于加工，因此要使这项技术变得可行，不仅需要使其工作正常，还需要降低其制造成本。

多年来，制造成本一直是限制SiC技术采用的一个因素。与同等硅器件相比，碳化硅器件的衬底成本要高得多。此外，材料本身的基本特性和高缺陷密度意味着SiCMOSFET和SiC二极管多年来无法在许多应用中生存下来。

然而，随着时间的推移，碳化硅技术已经进化到了能够降低缺陷密度并降低加工成本的水平。

因此，2011年1月，Cree公司发布了首款SiCMOSFET，型号为CMF20120D，额定电压为1200V，导通电阻为80mΩ，采用TO-247封装。这一重要的里程碑意味着可行的SiCMOSFET已面世，尽管价格较同类IGBT要高。然而，其在更快的开关速度、更高的效率和更好的热性能方面的卓越性能意味着许多公司将其用于新的电子电路设计中。

碳化硅MOSFET的优势

碳化硅MOSFET在许多领域表现出成熟的应用，特别是在电力电子领域，这些领域的开关特性使其特别适用于众多新的电子电路设计。

SiCMOSFET与传统的硅MOSFET类似，但有一些设计注意事项需要考虑。以下是SiCMOSFET的一些关键优势：

1.高压击穿：碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，因此可以制造更小、电压更高的SiCMOSFET。这使得在使用更薄的漂移层的同时实现高击穿电压成为可能。

2.电流密度：SiCMOSFET提供比硅MOSFET高得多的电流密度，这对于高功率应用至关重要。

3.高温工作：碳化硅MOSFET可以在更高的温度下工作，这意味着它们可以利用更高的电流密度，而无需考虑器件的实际温度。

4.低开关损耗：碳化硅技术使SiCMOSFET具有更低的导通电阻，这导致较低的电阻损耗。

5.高开关频率：SiCMOSFET具有更高的开关速度，这意味着可以使用更高的开关频率，从而缩小了电子电路设计的尺寸，降低了成本。

6.反向恢复时间短：SiCMOSFET的反向恢复时间为几十纳秒，远快于硅MOSFET，这对于提高电路的操作速度非常重要。

SiCMOSFET电路设计注意事项

尽管SiCMOSFET在电子电路设计中表现出色，但也需要考虑一些注意事项：

1.栅极驱动要求：SiCMOSFET需要更高的栅源电压才能实现低VDS饱和电压。电子电路设计需要确保提供正确的栅极驱动要求。

2.输入和输出隔离：由于SiCMOSFET常用于功率开关应用，输入和输出之间需要隔离变压器，以确保开关信号可以通过输入端进行。

3.电磁干扰（EMI）：SiCMOSFET的高开关速度会产生电磁干扰，电子电路设计需要考虑这一点。

4.额外的源极引脚：SiCMOSFET中的一些器件具有额外的源极引脚，用于降低杂散电感和电阻的影响，确保输入电路与输出隔离。

5.RDS(ON)随温度变化：SiCMOSFET的RDS(ON)值在工作温度范围内变化较小，这使得它们在高温环境下表现出色。

6.高VDS规格：SiCMOSFET具有高击穿电压，可用于许多电源应用，如开关模式电源和电压转换器。

7.反向恢复时间：SiCMOSFET的快速反向恢复时间可用于提高电路操作速度，减小电感器和电容器的尺寸。

碳化硅开关模块

除了基本的SiCMOSFET外，许多公司还提供SiC开关模块，这些模块集成了所需的开关电路，包括栅极驱动器、缓冲电路和EMI滤波器等。这些模块适用于许多电路设计，提供了有效的解决方案，可以缩短设计时间并降低成本。

总之，碳化硅MOSFET代表了半导体技术的未来发展方向，其卓越性能和适用性使其在众多电源和功率电子应用中成为理想的选择。虽然要考虑一些特定的设计注意事项，但它们已经在许多领域取得了成功，并为电子电路设计带来了新的可能性。

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