ASC800N650HPD碳化硅模块650V

08/11 08:25 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC800N650HPD碳化硅模块650V

1.09 MB

HPD 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 参数范围： VDS：650V ID：800A RDS(on) ：1.5mΩ

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