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近期，“行家说三代半”观察到，国内外又新增4个GaN项目相关动态：
● 德州仪器：GaN工艺向8英寸过渡，美国/日本工厂正在改装产线；
● 麦斯克：新建6英寸GaN外延用衬底项目，入选省重点专项清单；
● 立国芯：SiC/GaN项目实现规模量产，每小时下线2.5万颗。
德州仪器：2个GaN晶圆厂转向8英寸
近日，多家外媒报道，德州仪器的硅基氮化镓生产线将从 6 英寸转向8 英寸，并计划进一步推进到12英寸，这一举措旨在加强生产能力，以确保在电子器件市场的成本竞争优势。
据悉，在3月5日举办的线下媒体活动中，德州仪器韩国总监 Ju-Yong Shin 表示，“当前的普遍看法是 GaN 比SiC更昂贵，但我们观察到，价格趋势出现明显逆转。目前我们正在美国达拉斯、日本会津和其他关键地点建立8英寸晶圆制造设施，建成后预计将以远低于当前市场价格的价格提供解决方案”。”
其中，美国达拉斯工厂预计在2025年完成8英寸过渡，日本会津正在将现有的8英寸硅基生产线改造为GaN生产线。有业内人士分析，6英寸转向8英寸，预计生产成本将降低10%以上，并且会带动GaN 价格下降。
“行家说三代半”注意到，2023年12月，德州仪器还发布了低功耗GaN系列新品，与硅基解决方案相比，可将交流/直流电源适配器体积缩小50%，且系统效率提升至 94%。此外，他们在官网透露，计划到 2030 年自有制造 90% 以上的GaN产品。
新微半导体拟新建GaN电子项目
近日，据上海市建设工程交易服务中心消息，新微半导体二期项目已开启资格预审，并在2月27日进行公开招标。
据悉，该项目总投资高达30亿元，位于上海市临港新片区，主要建设电子通信广电-微电子产品项目工程，将新建多个厂房、仓库及其配套设施。
官网资料显示，上海新微半导体有限公司成立于2020年1月，专注化合物半导体晶圆代工领域，可为射频、功率和光电行业客户提供晶圆代工及配套服务，广泛应用于通信、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等终端应用领域。
此外，2023年5月，新微半导体宣布基于硅基氮化镓6吋/150mm晶圆的40V增强型（p-GaN）功率器件工艺平台开发完成，正式发布量产。目前，他们可提供基于6吋GaN/GaAs材料的射频工艺解决方案，工艺制程涵盖0.15μm、0.25μm和0.40μm GaN工艺以及0.10μm、0.15μm和0.25μm
GaAs工艺。
麦斯克：新建GaN外延用衬底项目
近期，河南省科学技术厅官网公示了2024年度河南省重点研发专项受理项目，其中包含麦斯克电子的“6英寸GaN外延用硅衬底关键技术研发及产业化项目”。
官网资料等显示，麦斯克电子材料股份有限公司成立于1995年，位于洛阳高新区，主要生产5、6、8英寸电路级单晶硅抛光片。2021年，麦斯克冲刺创业板上市并发布招股说明书，拟募资7.5亿用于“大尺寸半导体硅晶圆生产线建设项目”，该项目计划总投资15.6亿；而在2020年，麦斯克实现营收约4亿，净利润约0.6亿。
目前，该项目暂未披露更多信息，“行家说三代半”将持续关注。
立国芯：SiC/GaN项目规模量产
近日，据新华网报道，立国芯微电子项目已成功规模量产，每小时下线2.5万颗，可实现销售收入4.5亿元，利税6500万元。
根据“行家说三代半”此前报道，该项目总投资7亿，计划组建中高端芯片封装测试生产线16条，可年产高阶芯片225亿颗，目前已攻克GaN小型化供电系统和SiC芯片研发难题，最小可达14纳米，产品广泛应用于智能家居、新能源汽车、航空航天等多个领域。
企查查显示，山东立国芯微电子有限公司成立于2022年7月，经营范围包括电子元器件制造、集成电路芯片设计及服务、集成电路芯片及产品制造等。
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