芯耀
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7月22日最新消息，据报道，长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产,这是中国存储芯片产业在外部限制下的重要突破。
2022 年底被列入美国实体清单后，长江存储产能扩张不停步。目前月产能近 13 万片晶圆，占全球 NAND 闪存 8% 份额，2025 年将冲刺 15 万片，2026 年目标全球占比 15%，展现强劲成长力。
技术上，其已出货的 232 层 TLC 芯片 X4-9070，以双层堆叠实现 294 层等效密度。产品路：1TB TLC 已商用，3D QLC X4-6080 年内推出，2TB TLC X5-9080 将跟进，未来更计划以三层堆叠突破 300 层，提升晶圆比特量。
TechInsights 分析师称，其 Xtacking 4.0 性能接近国际巨头，但 EUV 等设备差距仍存。全国产线试产若成功，或使比特产量翻倍，助其突破 15% 份额。不过，试验线到量产需时间，设备稳定性、良率控制都是考验。
若试产成功，长江存储的比特产量有望翻倍，为 2026年15%的市场份额目标奠定基础。但资深从业者都清楚，从试验线到大规模量产的三道难关：
国产设备的长期稳定性（NAND 产线需要 7x24 小时连续运转）
不同设备间的工艺兼容性（影响良率波动）
以及成本控制能力（目前国产设备的单位投资仍高于国际水平）
长江存储的全国产线试产，本质上是中国半导体产业在全球竞争中的一次 "范式创新"。它证明了在单点技术落后时，通过设备、工艺、架构的系统协同，仍能实现产业链的整体突破。但必须清醒认识到，试验线的成功只是第一步 —— 从良率稳定到成本优化，再到产品迭代，至少需要 3-5 年的打磨周期。
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