BUCK功率参数合集(10)：同步降压芯片低边MOSFET导通电阻更小的原因解析付费

你是否在设计降压电源时，被高边、低边 MOSFET 散热不均衡的问题困扰？或者好奇同步降压芯片内部低边 MOSFET 导通电阻为何更小？今天这篇文章，将为你揭开同步降压芯片设计背后的奥秘，无论是初级工程师还是中级工程师，都能从中有所收获。

1、导通损耗差异的直观对比

(1) 12V 输入场景剖析

参考前文[ BUCK功率参数合集(9)：MOSFET导通损耗计算实例解析 ]：

输入电压为12V，输出电压为5V，负载电流为3.0A，开关频率为1.0MHz，功率电感值3.3uH，高边MOSFET的导通电阻100mΩ，低边MOSFET的导通电阻70mΩ。

上述条件下高边、低边MOSFET在整个开关周期中的导通比例分别为41.67%和58.33%，对应导通功率损耗有效值分别为1044.38 mW、1023.49 mW。

(2) 24V 输入场景拓展

如果输入电压是24V的话，高边、低边MOSFET在整个开关周期中的导通比例分别为20.83%和79.17%，对应导通功率损耗有效值分别为523.33mW、1392.06mW。

(3) 小结