MOSFET自身的开关电流可能会干扰使其导通的信号。在标准三引脚封装中,同一个源极连接既承载负载电流,又充当栅极驱动器的返回路径。
在快速开关过程中,这种共享连接会产生一个微小的电压降,而该电压恰好会在栅极驱动器试图以最快速度开关时,与其自身信号相抵触。
结果是MOSFET的导通速度比栅极驱动器原本预期的更慢,这种差异最终表现为开关损耗。开尔文源极引脚通过为栅极驱动器提供独立的专用返回路径、使其与负载电流解耦,从而解决了这一问题。
我们新推出的DIF170SIC049是一款1700V,SiC-MOSFET,最大导通电阻为49毫欧,采用四引脚结构,封装为TO-247-4L。现已全面量产供货。栅极驱动器与其自身MOSFET的寄生电感相互对抗,这是每种三引脚封装的固有现象——开关速度越快,付出的代价就越大。
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