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ASC60N650MDT7采用DT3PAK 封装

05/25 08:59
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ASC60N650MDT7采用DT3PAK 封装

1.20 MB

ASC60N650MDT7 650V、60A、30mΩ、N 沟道碳化硅 MOSFET
MDT7 系列碳化硅 MOSFET 采用 DT3PAK 封装，适用于高功率密度、高能效系统，可在高温下稳定工作，实现小型化设计并降低电磁干扰（EMI）。

引脚定义

  • 引脚 1：栅极（G）
  • 引脚 2：开尔文源极（KS）
  • 引脚 3-7：功率源极（S）
  • 散热片：漏极（D）

特性

  • 第三代碳化硅 MOSFET 技术
  • 低电容、高速开关
  • 高耐压、低通态电阻
  • 独立驱动源极引脚，封装优化
  • 易并联、驱动简单
  • 符合 RoHS、无卤素

应用场景

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原创声明：本文为碳化硅MOS+模块+应用（芯片）原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。 转载合作
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