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p沟道mos管导通条件

2021/12/16
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硬件型号:AO4606低内阻P沟道MOS管

系统版本:场效应管系统

p沟道mos管导通条件为Ug< Us、Ugs< Ugs(th), N沟道mos管导通条件为Ug> Us、Ugs> Ugs(th)。总之,MOS管导通条件为|Ugs|>|Ugs(th)|。

MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管

MOS集成电路特点:

制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路

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