4.8A内置MOS降压方案选型，CX8576耐压30V/40V的区别在哪里？

4.8A内置MOS降压方案选型，CX8576耐压30V/40V的区别在哪里？

有客户选型内置MOS电流4.8A小体积DC-DC降压芯片用哪款？

建议选用CX8576，这是一颗双路限流内置双NMOS，4.8电流的高性价比DC-DC，适用于小体积车载充电器及其他充电设备用于双路降压功能。

当把选型表发给客户之后，客户看到CX8576有两个版本，会问起，CX8576耐压30V/40V的区别在哪里？这两款有哪些区别之处？

30V与 40V区别在于：

1、30V / 40V耐压不同

2、内置双NMOS,MOS内阻不同

30V 内置10mΩ High-side NMOS +10mΩ Low-side NMOS

40V 内置15mΩ High-side NMOS +12mΩ Low-side NMOS

3、输出电压电流可设30V（2.5V-20V）/40V（3.0V-20V）

4、30V 4脚EN脚/40V NC悬空

5、短路反馈电压不同30V 0.4V/  40V 0.6V

6、30V开关频率可调

需求电压40V,2个USB口，4A电流且QC3.0快充的DC-DC方案建议选用CX8576+CX601是套极高性价比DC-DC电源快充降压方案。

原厂可提供CX8576样品申请，CX8576方案开发与技术支持！

CX8576可搭配QC协议或PD协议构成高性价比QC/PD快充整体解决方案，详情可向原厂申领样品与DEMO测试。