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A2I20H080N 数据手册 RF LDMOS宽带集成功放器

2023/04/25
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A2I20H080N 数据手册 RF LDMOS宽带集成功放器

A2I20H080N宽带集成电路是一种不对称Doherty设计，具有片上匹配功能，可在1800至2200 MHz范围内使用。该多级结构适用于26至32 V的操作，并覆盖了所有常见的蜂窝基站调制格式。

特点包括：

  • 先进的高性能封装式Doherty
  • 片上匹配（50欧姆输入，直流阻塞）
  • 集成静态电流温度补偿，带使能/禁用功能（2个）
  • 为数字预畸变误差校正系统设计

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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