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扫码加入A2I20H080N 数据手册 RF LDMOS宽带集成功放器
A2I20H080N宽带集成电路是一种不对称Doherty设计，具有片上匹配功能，可在1800至2200 MHz范围内使用。该多级结构适用于26至32 V的操作，并覆盖了所有常见的蜂窝基站调制格式。
特点包括：
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS84PWE6433 | 1 | Infineon Technologies AG | Transistor, |
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暂无数据 | 查看 | |
| 796642-8 | 1 | TE Connectivity | (796642-8) 8POS 5.0MM CE VRT HDR,TRM BLK |
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$3.81 | 查看 | |
| LPS4018-472MRC | 1 | Coilcraft Inc | General Purpose Inductor, 4.7uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1515, CHIP, 1515, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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暂无数据 | 查看 |
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