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A2I20H080N 数据手册 RF LDMOS宽带集成功放器

2023/04/25
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A2I20H080N宽带集成电路是一种不对称Doherty设计,具有片上匹配功能,可在1800至2200 MHz范围内使用。该多级结构适用于26至32 V的操作,并覆盖了所有常见的蜂窝基站调制格式。

特点包括:

  • 先进的高性能封装式Doherty
  • 片上匹配(50欧姆输入,直流阻塞)
  • 集成静态电流温度补偿,带使能/禁用功能(2个)
  • 为数字预畸变误差校正系统设计

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
0430450212 1 Molex Rectangular Power Connector, 2 Contact(s), Male, Solder Terminal, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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VSSRC20AD330101UF 1 Vishay Intertechnologies Resistor/Capacitor Network, RC NETWORK, T-FILTER, 1W, 33ohm, 0.0001uF, SURFACE MOUNT, SSOP-20, SSOP, ROHS COMPLIANT
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BSS84PH6433XTMA1 1 Infineon Technologies AG Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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