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扫码加入A2I20H080N 数据手册 RF LDMOS宽带集成功放器
A2I20H080N宽带集成电路是一种不对称Doherty设计，具有片上匹配功能，可在1800至2200 MHz范围内使用。该多级结构适用于26至32 V的操作，并覆盖了所有常见的蜂窝基站调制格式。
特点包括：
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 33012-2001 | 1 | Molex | Wire Terminal, 1.5mm2, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.12 | 查看 | |
| CRCW0603330RFKEAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 330ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP |
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$0.06 | 查看 | |
| C0402C104K4RALTU | 1 | KEMET Corporation | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Surface Mount, 0402, CHIP |
|
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$0.22 | 查看 |
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