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扫码加入A2I20H080N 数据手册 RF LDMOS宽带集成功放器
A2I20H080N宽带集成电路是一种不对称Doherty设计，具有片上匹配功能，可在1800至2200 MHz范围内使用。该多级结构适用于26至32 V的操作，并覆盖了所有常见的蜂窝基站调制格式。
特点包括：
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GRM188R61A106KE69D | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, X5R, 15% TC, 10uF, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT |
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$0.14 | 查看 | |
| VSORC20AC101101UF | 1 | Vishay Intertechnologies | Resistor/Capacitor Network, RC NETWORK, BUSSED, 1.2W, 100ohm, 0.0001uF, SURFACE MOUNT, SOIC-20, SOIC, ROHS COMPLIANT |
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暂无数据 | 查看 | |
| T3035H-6G | 1 | STMicroelectronics | 30 A - 600 V - 150 °C H-series Triacs |
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$2.19 | 查看 |
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