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常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料

常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料收起

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    在半导体前道工艺中,多晶硅与氮化硅刻蚀是构建器件栅极、隔离结构的关键环节,刻蚀精度与选择比直接决定器件性能与良率。泛林半导体(Lam Research)4420 XL系列刻蚀设备,作为4420系列的升级机型,在成熟制程刻蚀领域实现了量产效率与工艺稳定性的双重提升,凭借优化的等离子体控制技术、优异的材料刻蚀选择比及扩容升级的量产特性,可精准完成6-8英寸晶圆的多晶硅栅刻蚀、氮化硅隔离层刻蚀工艺,广泛
  • 【海翔科技】应用材料 AMAT/APPLIED MATERIALS Producer® Precis
    一、引言 等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备是先进半导体制造的核心装备,随着器件节点微缩至7nm及以下,介质膜的平整度、应力控制及致密性直接决定器件的电学性能与可靠性。应用材料(AMAT/APPLIED MATERIALS)Producer® Precision® APF® PECVD系列设备凭借独特的原子级平整度(APF)沉积技术、精准的应力调控能力及优异的薄膜均匀性,成为先进逻辑芯片互连
  • 微通道光学3D轮廓测量-3D白光干涉仪
    引言 微通道作为微流控芯片、微反应器、冷却系统等精密器件的核心结构,其截面尺寸、深度、内壁平整度、通道均匀性等3D轮廓参数直接决定流体传输效率、反应稳定性及散热性能。在微通道制备(光刻蚀刻、激光加工、注塑成型等)过程中,受工艺参数波动影响,易出现截面畸变、内壁毛刺、深度不均、局部堵塞等缺陷。传统二维测量方法难以完整表征微通道的三维内部轮廓,且接触式测量易损伤通道内壁。3D白光干涉仪凭借非接触测量特
  • LCD大屏漏光及OC脱落后激光修复指导
    一、引言 LCD大屏凭借显示面积大、视觉体验佳等优势,广泛应用于商用显示、安防监控、会议中心等场景。漏光与OC(Overcoat,钝化层)脱落是其常见故障,漏光表现为屏幕边缘或局部出现不规则亮斑,OC脱落则导致面板线路暴露、易受污染腐蚀,二者均会严重影响显示效果与使用寿命。传统修复方式多依赖人工贴合或更换模组,效率低且修复质量不稳定。激光修复技术以其高精度、非接触性优势,可针对性解决漏光与OC脱落
  • 珠宝首饰快速设计,客户手指、耳廓等部位的光学三维扫描测量逆向-激光三维扫描仪
    1.引言 在珠宝首饰个性化快速设计中,客户手指、耳廓等部位的尺寸精准度直接决定首饰的佩戴贴合度与舒适度,是戒指、耳环等定制类首饰设计的核心前提。此类部位存在个体差异大、曲面弧度细腻、软组织易形变等特点,手指指圈周长误差需控制在±0.1mm内,耳廓贴合弧度精度≤±0.3mm。传统测量依赖指环棒、软尺等工具,不仅精度不足、易受按压力度影响,还无法捕捉三维曲面特征,难以满足高端定制需求。激光三维扫描仪凭
  • 全球半导体短缺下,海翔科技的二手射频电源如何激活成熟制程产能?
    一、引言 全球半导体短缺已持续多年,汽车电子、物联网等下游领域需求激增与晶圆产能不足形成尖锐矛盾,成熟制程(28nm及以上)作为支撑终端产品生产的核心产能,其激活与释放成为破解短缺困境的关键。射频电源作为半导体刻蚀、薄膜沉积等核心工艺的“动力源”,直接影响产能稳定性与良率,但其市场长期被美日企业垄断,国产化率不足12%,全新设备采购成本高昂且交货周期漫长,成为制约成熟制程产能扩张的瓶颈。在此背景下
  • 【海翔科技】泛林半导体 Lam Research Alliance A4 Poly Nit 442
    一、引言 在半导体前道工艺中,多晶硅与氮化硅刻蚀是构建器件栅极、隔离结构的关键环节,刻蚀精度与选择比直接决定器件性能与良率。泛林半导体(Lam Research)Alliance A4 Poly Nit 4420系列刻蚀设备,作为成熟制程专用的多晶硅/氮化硅刻蚀机型,凭借稳定的等离子体控制技术、优异的材料刻蚀选择比及高效量产特性,可精准完成6-8英寸晶圆的多晶硅栅刻蚀、氮化硅隔离层刻蚀工艺,广泛适
  • 【海翔科技】应用材料 AMAT/APPLIED MATERIALS Endura Volta CVD
    一、引言 化学气相沉积(CVD)设备是半导体金属化制程的核心装备,随着摩尔定律推进至28nm及以下先进节点,铜互连线路尺寸持续微缩,电迁移失效与填充空隙问题成为良率瓶颈。钴(Co)因优异的铜黏着性、低电阻率及抗电迁移特性,成为铜互连工艺中平整衬垫与选择性覆盖层的关键材料。应用材料(AMAT/APPLIED MATERIALS)Endura Volta CVD Cobalt系列设备凭借集成化钴沉积解
  • 高精度线圈在半导体设备中的关键作用
    高精度线圈是决定精密设备性能的核心元件之一。在医疗成像、航空航天、科学仪器及高端工业设备等领域,高精度线圈通过将电能转换为精确的磁场或电磁信号,实现对电流、磁场或位置的毫厘级控制,其性能直接关乎整个系统的测量精度、运行稳定性与最终结果的可信度。 设计与制造,远超出普通线圈的范畴,其核心在于对“一致性”和“稳定性”的极致追求。它要求线圈的几何形状、匝数、绕线张力乃至绕制后的电感值和分布电容,都必须控
  • 8英寸SiC量产加速,产业进入关键窗口期
    回顾2025年,碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果,同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年,行业正站在新的发展节点,既迎来技术突破与场景扩容的新机遇,也面临产业优化与市场竞争的新挑战。 为解读当前产业态势,明晰未来发展路径,行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为天科合达市场总监史慧玲、晶飞半导体CEO韩世飞。后续,我们将持续邀约
  • SUSS:当摩尔定律放慢,对准开始变得重要
    苏斯微系统(SUSS MicroTec,常简称 SUSS)不决定制程节点,却反复出现在“节点为什么推不下去”的时刻。这不是一家以规模取胜的设备公司,而是一家在对准精度与工艺弹性之间,长期做取舍的公司。 今天的半导体产业,出现了一个耐人寻味的结果。 制程节点的命名仍在前进,但真正拉开差距的,越来越不是单一工艺突破。 而是系统能否承受更多叠加、更多组合、更多不确定性。 在这种变化中,一类设备被重新拉回
  • 台积电、英特尔、瑞萨、联电等多家企业密集人事洗牌
    近一个月,全球头部半导体企业迎来密集人事调整,如瑞萨电子、英特尔、联电等企业,涵盖晶圆代工、IDM、芯片设计等核心领域,涉及CEO、中国区总裁、全球运营负责人等关键岗位,既包含企业接班规划落地,也有核心技术与运营团队的优化升级,彰显行业在复杂市场环境下的战略调整方向。
  • 2026年中国值得关注的重点行业
    2026年中国“十五五”规划开局,转向以高质量发展为核心的经济发展模式。政策重心转向未来产业,如半导体、人工智能、新能源汽车等,强调自主可控与安全。具体措施包括: 1. **半导体与算力基础设施**:大力发展成熟制程逻辑芯片,加强封装与材料创新;建设国产算力体系。 2. **人工智能**:推动AI与实体经济深度融合,促进智能机器人、医疗设备等应用。 3. **新能源汽车**:从快速增长向整合与效率驱动转变,鼓励出口,优化产能结构。 4. **航空航天与低空经济**:加快商用飞机与无人机产业化,推动低空经济规模化发展。 5. **生物医药与医疗创新**:加速新药研发,推广医疗器械创新,推进数字医疗。 此规划为中国未来十年行业发展、资金支持与监管方向奠定了基调,企业应重点关注政策重点领域,适应市场变化与全球化布局。
  • 瑞萨电子强化高层管理, 推进印度与中国市场战略布局
    Malini Narayanamoorthi扩大了其在印度的领导范畴,任Vice President & President, Renesas Electronics India;行业资深人士刘芳出任Vice President & President, Renesas Electronics China 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布数项高层人事任命,旨
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  • 最新!近60家电子元器件企业涨价函汇总
    年后半导体行业又密集传来一波涨价函,我们更新了近期发布涨价函以及在现货市场中有涨价表现的厂商,以供参考。 文中涨价函来自于网络以及读者朋友圈,仅供参考,以官宣为主。 希狄微:调涨部分产品价格,3月1日起生效 2月26日,希获微电子发布涨价函,称近期全球上游原材料及关键贵金属价格大幅攀升,导致芯片行业晶圆代工与封测成本持续上涨,决定对公司部分产品的价格进行适度上调。本次价格调整适用于2026年3月1
  • 存储大厂又计划扩产,已选址!
    韩国京畿道知事金东延承诺缩短龙仁半导体产业集群的审批期限,并放宽各项监管规定。 金东延于2月27日在位于龙仁市檀国大学的全球产学研合作中心举行的“韩国半导体大型产业集群共同发展市民大会”上发表了上述讲话。他表示:“建立大型半导体产业集群最重要的是与时间赛跑。”出席此次大会的半导体行业人士包括三星电子总裁兼首席战略官金容宽、SK海力士龙仁CPR副总裁朴浩铉等。 金东延还表示:“我们已成立‘半导体全保
  • DRAM一年涨价10倍
    DRAM价格在短短11个月内飙升了十倍。这一前所未有的涨幅毋庸置疑,甚至超过了2018年的半导体“超级周期”。预计仅今年第一季度,部分PC产品线的价格就将比专业产品翻一番。 业内人士预计,价格上涨至少会持续到年底,但中国政府大力投资以提高自给自足能力被认为是影响价格走势的一个变数。 据市场研究公司DRAMeXchange 3月1日发布的数据显示,2月份通用PC DRAM(DDR4 8Gb 1Gx8
  • 激光对焦与图像对焦技术在显示面板激光修复检测的应用
    一、引言 显示面板(如TFT-LCD、OLED等)在生产与使用过程中易出现坏点、线路短路/开路、暗带等缺陷,激光修复技术是提升面板良率的关键手段。而修复精度与检测准确性的核心保障,在于激光对焦与图像对焦技术的协同应用。激光对焦负责实现激光能量的精准聚焦,确保修复作用于目标缺陷区域;图像对焦则为缺陷检测与修复过程监测提供清晰视觉支撑,二者共同构成激光修复检测系统的“精准定位与作用核心”。随着显示面板
  • 光学涂层表面粗糙度光学3D轮廓测量-3D白光干涉仪
    1 、引言 光学涂层作为光学器件的核心功能层,广泛应用于镜头、滤光片、激光元件等领域,其表面粗糙度直接决定涂层的光学透过率、反射损耗、抗激光损伤阈值及使用寿命。在光学涂层沉积(蒸镀、溅射、溶胶-凝胶等)过程中,受沉积参数波动、基材平整度、真空环境颗粒污染等影响,易形成纳米级表面起伏、微划痕或残留颗粒,导致光散射增强、成像质量下降。传统表面粗糙度测量方法多为局部点扫描,难以全面表征光学涂层全域表面形
  • 【海翔科技】泛林半导体 Lam Research Selis 系列 二手刻蚀/蚀刻设备
    1、引言 在半导体高层数3D NAND存储器件制造中,高深宽比通道刻蚀是突破存储密度极限的核心工艺,直接决定器件堆叠层数与性能上限。泛林半导体(Lam Research)Prevos系列刻蚀设备,作为适配400层及以上3D NAND制造的专用高深宽比刻蚀机型,搭载新一代Cryo 3.0低温蚀刻技术,凭借原子级精准的等离子体控制能力、卓越的轮廓稳定性及高效量产特性,可精准完成深宽比≥90:1、深度达

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