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宽禁带半导体

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    在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。 香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果，涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作，港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展，也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。 黄文海教
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    2月25日，宽禁带半导体材料企业天岳先进发布公告，正在进行申请境外公开发行股票（H 股）并在香港联合交易所有限公司主板上市的相关工作。此次天岳先进申报港股IPO的募集资金，拟用于扩张8英寸或更大尺寸碳化硅衬底产能、持续加强研发能力等。
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    随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展，宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的进一步发展，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体需求逐渐攀升，宽禁带半导体在技术推进、产品创新、行业布局上都迎来了新的变化。
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    2024/11/18
    氮化镓 半导体材料
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