宽禁带半导体

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  • 【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望
    在超宽禁带半导体领域,氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授,围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。 香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果,涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作,港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展,也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。 黄文海教
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  • 是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试
    是德科技(NYSE: KEYS )增强了其双脉冲测试产品组合,使客户能够从宽禁带(WBG)功率半导体裸芯片的动态特性的精确和轻松测量中受益。在测量夹具中实施新技术最大限度地减少了寄生效应,并且不需要焊接到裸芯片上。这些夹具与是德科技的两个版本的双脉冲测试仪兼容。 是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试 WBG功率半导体器件对于构建电动汽车、可再生能源和数据中心等应用的高效、稳定的电力电子设备至关
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  • 宽禁带半导体材料企业天岳先进申请赴港IPO
    2月25日,宽禁带半导体材料企业天岳先进发布公告,正在进行申请境外公开发行股票(H 股)并在香港联合交易所有限公司主板上市的相关工作。此次天岳先进申报港股IPO的募集资金,拟用于扩张8英寸或更大尺寸碳化硅衬底产能、持续加强研发能力等。
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  • SiC SBD的振荡 Oscillation of SiC SBD
    让我们开始今天的话题,宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。
  • 宽禁带半导体“渐入佳境”
    随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展,宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的进一步发展,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体需求逐渐攀升,宽禁带半导体在技术推进、产品创新、行业布局上都迎来了新的变化。
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