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宽禁带半导体

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  • 在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
    作者：Frederik Dostal，电源管理专家 摘要 本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。 简介 宽禁带技术在开关模式电源中越来越受欢迎。如果电路设计人员有兴趣在未来设计中使用这项相对较新的技
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    在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。 香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果，涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作，港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展，也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。 黄文海教
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    2月25日，宽禁带半导体材料企业天岳先进发布公告，正在进行申请境外公开发行股票（H 股）并在香港联合交易所有限公司主板上市的相关工作。此次天岳先进申报港股IPO的募集资金，拟用于扩张8英寸或更大尺寸碳化硅衬底产能、持续加强研发能力等。
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    2025/02/26
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    让我们开始今天的话题，宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。
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