宽禁带半导体

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  • 南芯科技发布线性霍尔效应电流传感器
    南芯科技(证券代码:688484)发布全新线性霍尔效应电流传感器 SCS910X,为基于聚磁环的大量程电流检测提供高精度、全国产化的解决方案,可广泛应用于电动汽车电驱系统的相电流检测、光伏逆变器电流模组等大电流场景。作为南芯磁传感产品矩阵的第二款重磅系列,SCS910X 提供三种封装方式 (TO-94/BS/BV),每种封装均在温漂精度、带宽、电流量程等关键指标上达到业界领先水平,并提供车规和工规
    南芯科技发布线性霍尔效应电流传感器
  • 零碳浪潮下亚太地区芯产业的进阶之路
    碳中和时代来临,半导体行业面临双重挑战:既是高耗能大户,也是节能减排的关键引擎。为了应对这一趋势,半导体行业采取了两条主要路径:一是通过绿色制造,即使用绿色电力、优化节能制程和推行材料循环利用,从源头削减生产碳排放;二是通过器件端技术革新,例如使用宽禁带和超宽禁带半导体新材料,大幅减少电力传输和转换过程中的能源浪费。 亚太地区作为全球半导体产业的中心,拥有丰富的应用场景、持续的政策支持和成熟的产业协同,使其在全球半导体低碳转型中扮演着至关重要的角色。通过宽禁带半导体的商业化应用和超宽禁带半导体的研发突破,亚太地区正在加速推进半导体行业的绿色升级,从而在全球碳中和进程中发挥重要作用。
  • 浙江押注"烧钱"材料,湖北死磕实验室?6省"芯片路线"全解析
    2026年,“十四五”规划成为各省工业政策的主战场,宽禁带半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga₂O₃)等从“十三五”的探索期进入“十四五”的密集落地期。各省纷纷出台相关政策,推动宽禁带半导体产业发展。浙江押注超宽禁带,湖北追求技术突破,广东深圳专注制造落地,四川走特色工艺的错位竞争,安徽聚焦芯片架构创新,甘肃武威以碳化硅原材料为切入点。这场“卡位战”体现了多点支撑、差异化互补的产业生态重构趋势。
  • 超宽禁带半导体突围战:能源革命的“高压”引擎
    当全球能源转型进入深水区,电力电子正面临一场新的革命——硅基器件的物理极限已成为能效提升的硬约束。在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)崭露头角之际,一个更具颠覆性的选手——氧化镓(Ga₂O₃)悄然登场。
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    03/18 13:17
  • 未来已来:金刚石与宽禁带材料引领电动汽车技术革新
    电动汽车(EV)发展推动功率电子转换器向高效、紧凑、可靠的方向演进。宽禁带半导体,特别是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石和氧化镓(Ga₂O₃),因其卓越的材料特性,在牵引逆变器、车载充电器、DC-DC转换器等领域展现出巨大潜力。SiC在高压系统中占据主导地位,GaN则以其高频特性适用于车载充电器和无线充电领域。金刚石作为超宽禁带材料,虽面临n型掺杂和成本高昂的挑战,但在未来有望实现大规模应用,特别是在超高压和高温环境中。随着材料技术的进步,宽禁带半导体将继续推动电动汽车技术革新,提高能源利用效率和系统性能。
    未来已来:金刚石与宽禁带材料引领电动汽车技术革新
  • 在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
    作者:Frederik Dostal,电源管理专家 摘要 本文详细讨论了GaN技术,解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关,介绍了电路示例,并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且,文中展示了LTspice®工具,以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后,展望了GaN技术的未来。 简介 宽禁带技术在开关模式电源中越来越受欢迎。如果电路设计人员有兴趣在未来设计中使用这项相对较新的技
    在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
  • 【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望
    在超宽禁带半导体领域,氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授,围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。 香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果,涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作,港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展,也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。 黄文海教
    【对话前沿专家】香港科技大学黄文海教授谈氧化镓器件的突破与展望
  • 是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试
    是德科技(NYSE: KEYS )增强了其双脉冲测试产品组合,使客户能够从宽禁带(WBG)功率半导体裸芯片的动态特性的精确和轻松测量中受益。在测量夹具中实施新技术最大限度地减少了寄生效应,并且不需要焊接到裸芯片上。这些夹具与是德科技的两个版本的双脉冲测试仪兼容。 是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试 WBG功率半导体器件对于构建电动汽车、可再生能源和数据中心等应用的高效、稳定的电力电子设备至关
    是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试
  • 宽禁带半导体材料企业天岳先进申请赴港IPO
    2月25日,宽禁带半导体材料企业天岳先进发布公告,正在进行申请境外公开发行股票(H 股)并在香港联合交易所有限公司主板上市的相关工作。此次天岳先进申报港股IPO的募集资金,拟用于扩张8英寸或更大尺寸碳化硅衬底产能、持续加强研发能力等。
    宽禁带半导体材料企业天岳先进申请赴港IPO
  • SiC SBD的振荡 Oscillation of SiC SBD
    让我们开始今天的话题,宽禁带半导体(这里主要就SiC展开)中普遍易于硅基的振荡。
  • 宽禁带半导体“渐入佳境”
    随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展,宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的进一步发展,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体需求逐渐攀升,宽禁带半导体在技术推进、产品创新、行业布局上都迎来了新的变化。
    宽禁带半导体“渐入佳境”
  • 融资8000万美元!从斯坦福走出的半导体激光加工技术
    近日,半导体激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布,获 8000 万美元 B 轮融资(折合人民币约5.81亿元)。本轮融资由美国创新技术基金(USIT)牵头,8VC、SAIC跟投。据媒体报道,新一轮融资将使 Halo Industries公司的总市值达到 3 亿美元。
    融资8000万美元!从斯坦福走出的半导体激光加工技术
  • 凭借 800V 电动汽车动力总成设计解决“里程焦虑”问题
    电动汽车 (EV) 普及率的上升激发了市场对优化设计、降低成本和提升车辆运行效率的需求,并为产品测试提出了新的难题。各种功率转换器和牵引逆变器构成了电动汽车动力总成子系统的核心,必须通过测试方可使其达到最出色的效率水平。尽管SiC/GaN 等宽禁带半导体器件能够为此提供积极的支持,但我们仍有其他测试难题需要应对。 800V 动力总成架构的引入堪称一次里程碑式的飞跃。下面我们就来了解一下,目前存在哪
    凭借 800V 电动汽车动力总成设计解决“里程焦虑”问题
  • 相遇2023慕尼黑电子展,泰克与您探讨半导体、智能汽车测试难题
    2023慕尼黑上海电子展(electronica China)正在国家会展中心(上海)举办,作为全球领先的测试测量解决方案提供商,泰克科技现场展出其领先测试解决方案,展位号国家会展中心(上海)6.2号馆A202。 慕尼黑上海电子展(electronica China)是从电子产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台,2023年7月11-13日在国家会展中心(上海)举办,涵盖新能源汽车、绿色
  • 泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案, 加快SiC和GaN技术验证速度
    全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展,泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件(如SiC和GaN MOSFETs)提供自动可重复的、高精度测量功能。
  • 深挖GaN潜力,中国企业别掉队
    除了更宽的禁带宽度,氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率,以及更优的抗辐照能力,这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。
    深挖GaN潜力,中国企业别掉队
  • 半导体结构性调整态势下,英飞凌何以创下历史新高?
    在全球半导体产业面临波动和结构性调整之时,英飞凌却在2022财年创下历史新高:全球营收142.18亿欧元,利润33.78亿欧元,利润率23.8%。这体现了头部的半导体企业,多年来通过不断优化产品组合、保持创新能力、面向长周期产业持续推进产能布局等战略,得以构建起的应对周期变化的能力和韧性。 日前,英飞凌科技大中华区在京举办了2023年度媒体交流会。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技
  • 绿色芯片迎来春天
    坚持高质量发展、走绿色低碳之路,成为中国经济社会发展的共识。今年全国两会政府工作报告指出,要推动发展方式绿色转型,推动重点领域节能降碳。去年年底,中共中央、国务院印发的《扩大内需战略规划纲要(2022-2035年)》中也提到,大力倡导绿色低碳消费,推进制造业高端化、智能化、绿色化。
  • 第三代半导体能否引领电子芯片业的一次革新?
    宽禁带半导体材料突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制,在5G通信、互联网、新能源、电子信息产业等前沿领域发挥重要作用。在摩尔定律遇到瓶颈,“中国制造2025”的大背景下,宽禁带半导体材料的发展前景不可限量。
  • 意法半导体将在意大利兴建整合式碳化硅衬底制造厂
    服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)衬底制造厂,以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求,协助其向电气化迈进并达到更高效率。

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