带隙基准

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带隙基准,英文Bandgap voltage reference,常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个具有正温度系数的电压与具有负温度系数的电压之和,二者温度系数相互抵消,实现与温度无关的电压基准,约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多,因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。有些Bandgap结构输出电压与带隙电压也不一致。

  • 带隙基准的特性解析,为什么这个电压基准可以和温度无关?
    带隙基准的特性解析,为什么这个电压基准可以和温度无关?
    经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和,二者温度系数相互抵消,实现与温度无关的电压基准,约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多,因而称为带隙基准。
  • 带隙基准电路
    带隙基准电路
    要实现基准电压源所需解决的主要问题是如何提高其温度抑制与电源抑制,即如何实现与温度有确定关系且与电源基本无关的结构。由于在现实中半导体几乎没有与温度无关的参数,因此只有找到一些具有正温度系数和负温度系数的参数,通过合适的组合,可以得到与温度无关的量,且这些参数与电源无关。