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瓴科微(上海)集成电路有限责任公司
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瓴科微(上海)集成电路有限责任公司(Link World Micro)于2023年8月正式落户上海张江,是一家深耕数模混合类IC领域的创新型半导体企业。公司构建了涵盖通信接口与隔离、电源管理与驱动、精密信号链、时钟IC及功率器件等多元化产品矩阵,广泛赋能工业控制、机器人无人机、人工智能、新型储能及新能源汽车等前沿科技领域。 2026年,国内领先的半导体封测上市企业佛山蓝箭电子(301348.SZ)完成对瓴科微的收购,瓴科微正式成为蓝箭电子旗下成员。依托蓝箭电子在封装测试、规模化量产及供应链整合方面的深厚积累,瓴科微将加速产品迭代与量产落地,进一步提升芯片可靠性与交付效率;尤其在功率器件领域,借助蓝箭电子先进的封测能力,可有效优化器件散热与导通性能,为客户提供更具竞争力的数模混合IC及功率器件解决方案。 收起 展开全部

产业链 半导体元器件 收起 展开全部

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  • LKP2074S系列1.5A低噪声LDO芯片,直击噪声痛点,赋能高精度电源设计
    在当前复杂的供应链环境下,寻找一颗性能不妥协、供货稳定且封装兼容的国际大厂替代品,是每位硬件工程师和采购负责人的当务之急。针对市场的国产化替代需求,瓴科微推出了LKP2074S系列1.5A低噪声LDO。 本篇文章将为您深度解析:这颗“国产芯”是如何在参数指标、应用兼容性及供应链韧性上,成为国际竞品的高性价比“直接替换”方案。 核心优势概览 LKP2074S系列不仅在电气性能上精准对标国际先进水平,
  • 热门芯品 | 瓴科微8通道/100Mbps高速传输/±8kV ESD/双向电平转换器LKIx1219SS系列产品
    芯片速览: LKIx1219SS是一款8位双向电平转换器,可用来连接两个独立的可配置电源电压系统。 A端口1.4V~3.6V,B端口1.65V~5.5V;自动方向感应,无需DIR引脚;数据速率最高100Mbps;ESD保护±8kV(HBM);TSSOP-20封装与国际竞品引脚兼容,可直接替换。 应用框图 痛点直击: 现代电子产品中,1.8V主控与5V传感器共板已是常态。电平转换器本应是简单桥梁,实
  • 新品发布 | 瓴科微多通道高性能ADC芯片,为精密系统注入强劲“芯”动力
    在医疗成像、通信基础设施与高端仪器等领域,高速、高精度信号采集一直是系统性能的核心挑战。无论是CT/MRI成像中对微弱生物电信号的捕捉,还是5G基站对复杂频谱的实时分析,抑或是精密测试设备对高频信号的准确测量,都需要模数转换器(ADC)具备多通道同步、高采样率、低功耗与优异动态性能的融合能力。 为此,瓴科微正式推出 LKAD9653QF系列——一款为高性能系统量身打造的4通道、16位ADC芯片。该
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    09/02 15:41
  • 800mA超低噪声LDO LKP8262DF系列产品详解
    一、产品概述 LKP8262DF是瓴科微(LKWIC)推出的一系列超低噪声线性稳压器(LDO),采用4.5V~16V电源供电,最大输出电流800mA。该器件采用先进专有架构,提供高电源抑制比(PSRR)与超低噪声特性,使用10μF陶瓷输出电容即可实现出色的线路与负载瞬态响应性能。LKP8262DF系列共有两个型号——LKP8262DF-02与LKP8262DF-04,分别针对不同输入电压范围优化,
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    09/01 19:29
  • 基于LKAD9653QF四通道16位125MSPS ADC的行波测距数据采集解决方案
    行波测距利用故障暂态行波到达时间差定位,要求ADC具备高采样率与高动态性能。瓴科微LKAD9653QF是一款国产四通道16位125MSPS高速ADC,采样率125MSPS,SNR 78.6dBFS,四通道同步采样,支持多片时钟同步,每通道功耗155mW,工作温度-40℃~+105℃。该方案以国产化高性能ADC为核心,为电力终端设备提供性能冗余、供应链安全、高集成度的数据采集解决方案。
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    08/31 16:03
  • AI应用场景中的“供电心脏”:LKP8283DF的2A超低噪声之道
    2026年电源管理芯片迎来国产替代窗口期,瓴科微推出LKP8283DF 2A低噪声LDO,输出噪声低至6μVrms,PSRR达60dB@100kHz,核心性能全面对标国际标杆ADI ADM7172。产品采用3×3mm DFN8超小封装,静态电流仅0.7mA,支持-40℃~125℃宽温工作,精准卡位AI服务器算力供电、人形机器人关节驱动、精密仪器等高端场景,在噪声、压差、瞬态响应等关键指标上已具备直接替代国际一线产品的技术实力。
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  • 瓴科微LKP4153 | 红外热成像应用笔记:超低噪声LDO设计要点
    红外热成像技术依赖于LDO提供低噪声电源,解决信号链中的电源质量问题至关重要。瓴科微LKP4153超低噪声LDO,具备卓越的噪声与电源抑制比性能,适用于各种应用场景。其核心参数优异,输出噪声低至1.0µV,电源抑制比高达78dB,广泛应用于红外成像系统,确保信号清晰准确。
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    08/31 13:39
    瓴科微LKP4153 | 红外热成像应用笔记:超低噪声LDO设计要点
  • 3A 超低噪声 LDO LKP85512QF:高性价比国产替代方案
    在 FPGA、DSP核心供电及后级稳压等对电源质量要求严苛的应用场景中,LDO 的选型直接影响系统稳定性与研发成本。瓴科微LKP85512QF作为一款3A大电流线性稳压器,在关键性能指标上对标国际大厂,为工程师提供了一款兼具高性能与高性价比的国产化选择。 一、核心参数概览 LKP85512QF具备完整的可调输出电压范围(0.8V至3.6V)与3A最大输出电流能力。其典型压差为115mV@3A,与竞
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    08/31 12:46

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