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带隙基准的「曲率补偿」原理: 为什么能做到 7ppm/℃ 极低温漂?

10/16 10:55
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在精密 ADC、高精度 DAC、工业传感器信号链中,电压基准源是决定系统精度的「标尺」。而带隙基准作为电压基准的核心架构,其温漂性能直接决定了整条信号链的测量精度。一颗基准源若在 -40℃~125℃ 范围内达到 7ppm/℃,意味着整个工业温区内的输出电压变化不到万分之七 —— 这是怎么做到的?

带隙基准的「先天缺陷」

带隙基准的基本原理,是利用双极型晶体管的基极-发射极电压 VBE 与热电压 VT 的温度特性互补关系:VBE 具有负温度系数,约 -2mV/℃;而两个工作在不同电流密度下的 BJT 的 VBE 差值 ΔVBE 具有正温度系数。将两者按适当权重叠加,一阶项刚好抵消,即可在室温附近获得近似零温漂的输出电压。

FIG. 01 V_BE 与 ΔV_BE 的温度特性互补

但问题在于:一阶补偿后的残余温漂并非「没有」,而是呈现出一条抛物线形状的曲率。VBE 本身与温度的关系不是简单线性关系,而是包含一个 T·ln(T) 的对数项。这个非线性项在一阶补偿后无法消除,在 -40℃~125℃ 范围内会造成数十 ppm/℃ 量级的残余温漂。7ppm/℃ 的目标,本质上就是把这根抛物线的「弯曲」掰直。

FIG. 02 一阶补偿后的残余曲率(按标准带隙模型计算示意)

曲率补偿:如何「掰直」抛物线

曲率补偿的核心思路是:产生一个与 VBE 二阶非线性相反的非线性电流或电压,注入带隙核心,抵消残余曲率。

目前主流的实现路径有三类:

电流注入法 CLASS 01

利用 MOS 管栅极-源极电压差在不同温度下的非线性行为,生成一个「温度曲率补偿电流」,再通过电流镜注入带隙核心的 CTAT 支路。这个补偿电流的温度曲率与 VBE 的残余曲率相反,从而把弯曲的输出曲线「拉直」。

双补偿法 CLASS 02

设置两条补偿支路:一条提供线性温度相关电流,另一条提供对数温度相关电流,两者分别馈入分压网络的不同电阻,使输出电压在工作温度范围内接近线性。

分段曲率校正 CLASS 03

在高温区和低温区分别设置曲率校正电路,当温度超过或低于预设阈值时使能对应补偿支路,适合宽温域、高精度场景。

FIG. 03曲率补偿的三类实现路径

7ppm/℃ 意味着什么?

在 -40℃~125℃ 的 165℃ 温区跨度内,7ppm/℃ 对应的输出电压总变化量约为 0.116%。对于一颗 2.5V 基准源而言,全温区输出漂移不到 3mV。这已经接近许多高精度 ADC 的 1LSB 水平,因此曲率补偿不是「选修题」,而是 ppm 级电压基准的「必答题」。

瓴科微的曲率补偿实践

瓴科微电压基准源产品线同样采用带隙基准 + 曲率补偿的技术路线,覆盖高电压、低电压、通用型及高精度型全系列,满足不同系统对输出电压、精度、功耗及封装的要求。

FIG. 04 LKP695系列内部功能框图

LKP695 系列 代表产品

LKP695 系列是瓴科微曲率补偿技术的代表产品。其内部包含启动电路、二阶曲率补偿的带隙基准源、误差放大器、过流保护等模块。以 LKP695TS 为例,工作电压 4.5V~30V,支持 10V/7.5V/5V/2.5V 多电压输出,精度可达 ±0.05%~±0.14%,温漂低至 15ppm/℃,噪声 50μVp-p,采用 SOP8 封装,可兼容行业经典型号。

LKP697 / 698 系列 更高精度

面向更高精度需求,温漂可达 10ppm/℃,噪声低至 4μVp-p。LKP697TS 精度 ±0.05%,LKP698TD 精度 ±0.05%,封装覆盖 SOP8、DIP8、TO99-8 等多种形式,可兼容行业经典型号。

LKP4212ST 低压应用

工作电压 1.8V~5.5V,输出 1.25V,温漂 30ppm/℃,噪声 9μVp-p,采用 SOT23-3 微型封装,适合空间受限的便携设备与低功耗信号链。

LKP42xxST 系列 低功耗

高精度、低功耗、低压差的串联型电压基准,采用 3 引脚 SOT-23 封装,典型功耗仅 100μA,适用于对功耗和体积敏感的精密测量场景。

产品系列一览 SELECTION

瓴科微电压基准源产品已在工业控制、精密测量、数据采集等场景中批量应用。对于需要在高精度 ADC 前端提供稳定参考电压的系统,LKP695 系列的多电压输出能力可以简化 BOM 设计;对于空间受限的便携设备,LKP4212ST 的 SOT23-3 封装和 1.8V 低压工作能力则提供了更优的选择。

FIG. 05 瓴科微电压基准产品线 · 封装一览

曲率补偿不是一道「选修题」,而是 ppm 级电压基准的「必答题」。从电流注入到双补偿,再到分段校正,曲率补偿技术正在国产基准源产品上走向成熟。瓴科微将持续在带隙基准曲率补偿方向投入研发,为高精度信号链提供更稳定、更可靠的「电压标尺」。

关于瓴科微

瓴科微(上海)集成电路有限责任公司(Link World Micro)于2023年8月正式落户上海张江,是一家深耕数模混合类IC领域的创新型半导体企业。公司构建了涵盖通信接口与隔离、电源管理与驱动、精密信号链、时钟IC及功率器件等多元化产品矩阵,广泛赋能工业控制、机器人无人机、人工智能、新型储能及新能源汽车等前沿科技领域。

2026年,国内领先的半导体封测上市企业佛山蓝箭电子(301348.SZ)完成对瓴科微的收购,瓴科微正式成为蓝箭电子旗下成员。依托蓝箭电子在封装测试、规模化量产及供应链整合方面的深厚积累,瓴科微将加速产品迭代与量产落地,进一步提升芯片可靠性与交付效率;尤其在功率器件领域,借助蓝箭电子先进的封测能力,可有效优化器件散热与导通性能,为客户提供更具竞争力的数模混合IC及功率器件解决方案。

官网:  www.lkwic.com

地址:上海市碧波路690号5幢501-8

电话:021-58880687

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官微:瓴科微模拟IC(微信号:lkwic_ic)

瓴科微

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瓴科微(上海)集成电路有限责任公司(Link World Micro)于2023年8月正式落户上海张江,是一家深耕数模混合类IC领域的创新型半导体企业。公司构建了涵盖通信接口与隔离、电源管理与驱动、精密信号链、时钟IC及功率器件等多元化产品矩阵,广泛赋能工业控制、机器人无人机、人工智能、新型储能及新能源汽车等前沿科技领域。 2026年,国内领先的半导体封测上市企业佛山蓝箭电子(301348.SZ)完成对瓴科微的收购,瓴科微正式成为蓝箭电子旗下成员。依托蓝箭电子在封装测试、规模化量产及供应链整合方面的深厚积累,瓴科微将加速产品迭代与量产落地,进一步提升芯片可靠性与交付效率;尤其在功率器件领域,借助蓝箭电子先进的封测能力,可有效优化器件散热与导通性能,为客户提供更具竞争力的数模混合IC及功率器件解决方案。

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