扫码关注
电子硬件助手
元器件查询
扫码加入第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。收起
查看更多
21:17
全球供应链变局下,电子分销的敏捷创新与生态协同
14:38
产业变局下,元器件分销商如何顺势而为?
14:46
对话: 本土厂商如何突围功率器件江湖?
25:43
基本半导体:SiC规模替换拐点可能提前来临
15:39
泰科天润:第三代半导体,国产替代谁争先?