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第三代半导体

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第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。收起

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    昆仑芯星近期完成新一轮融资,由上海常春藤资本与四川中玮海润集团联合投资,这是公司在不到三个月内收获的第二轮融资。昆仑芯星专注于第三代半导体的研发,特别是金刚石基氮化镓材料,在高功率、高频应用中解决散热瓶颈。公司掌握了多项核心技术,并推出多种产品,广泛应用于高端射频功率场景。此外,国内其他第三代半导体企业也在短时间内获得大量融资,显示出该赛道的整体景气度。
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  • 芯粤能、顶立科技等7家企业公布SiC专利
    在第三代半导体产业加速推进的背景下,碳化硅(SiC)作为核心材料的技术创新持续突破。据集邦化合物半导体不完全统计,
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    广州市政府发布《广州市加快建设先进制造业强市规划(2024—2035年)》,将半导体与集成电路列为五大战略先导产业之一,计划大力发展碳化硅、氮化镓、氧化镓等第三代半导体材料制造,并通过全产业链布局和技术攻关,推动广州成为国家集成电路第三极的核心承载区。广州已集聚多家第三代半导体核心企业,如芯聚能、南砂晶圆、芯粤能等,并构建了完整的产业链生态。同时,广州还着力构建高水平的创新平台,如西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心中试线和“芯片大楼”。
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