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  • SiC MOSFET 器件抗辐照特性研究
    针对 SiC 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)器件进行了抗辐照试验的研究,利用实验室环境模拟空间辐照进行了试验,采用 60Co γ 射线源与测试系统开展了总剂量辐照试验研究,对 SiC MOSFET 器件的阈值电压与导通电阻的漂移进行了表征,得到辐照后阈值电压的漂移小于 0.8 V,