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突破10nm壁垒！CEA-Leti官宣FD-SOI技术路线图，直指7nm未来
全球半导体技术追求更高能效与更强性能，FD-SOI技术因其独特背偏压调控能力成为5G、汽车电子、边缘计算等领域首选。第十届上海FD-SOI论坛展示CEA-Leti最新路线图，提出FD-SOI技术向10nm及以下节点迈进，通过自适应背偏压技术实现能效飞跃。CEA-Leti计划从28nm至7nm不断优化，目标大幅提升晶体管密度与射频性能，同时强调设计与工艺协同优化的重要性。尽管面临挑战，CEA-Leti计划在2025至2029年完成多版本迭代，推动FD-SOI技术在先进制程中的应用。

夏珍

2428

2025/09/25

与非观察 FD-SOI

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