瑞斯特半导体RST

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  RST品牌DS22W至DS220W系列 肖特基势垒整流器

  肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier, SBR）基于金属-硅结形成的势垒实现整流功能，其导电机理以多数载流子为主，从根本上消除了传统快恢复整流二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢复问题，因而具备极低的正向导通压降和近乎瞬态的开关特性。RST品牌DS22W至DS220W系列采用SOD-123FL扁平表面贴装封装，覆盖20V至200V反向电压范围，正向额定电流达2

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  瑞斯特1N4148W/BAV16W 高速开关二极管

  1N4148W/BAV16W属于高速开关二极管（Fast Switching Diode），基于传统PN结结构实现整流与开关功能，其反向恢复时间trr典型值仅4ns，接近肖特基二极管的开关水平，在小信号高速开关领域具有广泛应用。RST品牌该系列采用SOD-123小型表面贴装封装，定位于通用高速开关应用场景。其极限参数方面，最大可重复峰值反向电压（VRRM）为100V，工作峰值反向电压（VRWM）与

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  RST品牌SBDW60H200CTB 肖特基势垒整流器

  肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier, SBR）基于金属-硅结形成的势垒实现整流功能，其导电机理以多数载流子为主，从根本上消除了传统快恢复整流二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢复问题，因而具备极低的正向导通压降和近乎瞬态的开关特性。 RST品牌SBDW60H200CTB采用TO-247-3L大功率封装，内部集成两个共阴极结构的肖特基二极管，定位于超高电流、高

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  RST品牌SBDB20100CT 肖特基势垒整流器

  肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier, SBR）基于金属-硅结形成的势垒实现整流功能，其导电机理以多数载流子为主，从根本上消除了传统快恢复整流二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢复问题，因而具备极低的正向导通压降和近乎瞬态的开关特性。RST品牌SBDB20100CT采用TO-263-2L（D²PAK）表面贴装封装，内部集成两个共阴极结构的肖特基二极管，定位于中

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  RST品牌MBR4045CT 肖特基势垒整流器

  肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier, SBR）基于金属-硅结形成的势垒实现整流功能，其导电机理以多数载流子为主，从根本上消除了传统快恢复整流二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢复问题，因而具备极低的正向导通压降和近乎瞬态的开关特性。RST品牌MBR4045CT采用TO-220AB塑封封装，内部集成两个共阴极结构的肖特基二极管，定位于中高电流、中低压的整流应用

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  RST品牌RS3ABF至RS3MBF系列 快恢复整流二极管

  快恢复整流二极管（Fast Recovery Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长、铂掺杂或电子辐照等工艺手段精确控制基区载流子寿命，在保持较高反向耐压能力的同时将反向恢复时间（trr）压缩至数百纳秒量级，是开关电源、逆变器等中高频功率变换系统中替代普通整流管的关键器件。RST品牌RS3ABF至RS3MBF系列采用SMBF（DO-214AA Flat）表面贴装封装，覆盖50V至10

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  RST品牌RS1A至RS1M系列 快恢复整流二极管

  快恢复整流二极管（Fast Recovery Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长、铂掺杂或电子辐照等工艺手段精确控制基区载流子寿命，在保持较高反向耐压能力的同时将反向恢复时间（trr）压缩至数百纳秒量级，是开关电源、逆变器等中高频功率变换系统中替代普通整流管的关键器件。 RST品牌RS1A至RS1M系列采用SMA（DO-214AC）表面贴装封装，覆盖50V至1000V反向电压范围

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  RST品牌ES2A至ES2J系列 超快恢复整流二极管

  超快恢复整流二极管（Super Fast Recovery Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长、玻璃钝化芯片结及载流子寿命控制等工艺手段，在保持较高反向耐压能力的同时将反向恢复时间（trr）压缩至数十纳秒量级，是开关电源、逆变器等高频功率变换系统中替代普通整流管的关键器件。RST品牌ES2A至ES2J系列采用SMB（DO-214AA）表面贴装封装，覆盖50V至600V反向电压范围

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  RST品牌ES1A至ES1J系列 超快恢复整流二极管

  超快恢复整流二极管（Super Fast Recovery Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长、铂掺杂或电子辐照等工艺手段精确控制基区载流子寿命，在保持较高反向耐压能力的同时将反向恢复时间（trr）压缩至数十纳秒量级，是开关电源、逆变器等高频功率变换系统中替代普通整流管的关键器件。RST品牌ES1A至ES1J系列采用SMA（DO-214AC）表面贴装封装，覆盖50V至600V反向

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  RST品牌SS22至SS210系列 肖特基势垒整流器

  肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier, SBR）基于金属-半导体接触形成的势垒实现整流功能，其导电机理以多数载流子为主，从根本上消除了传统PN结整流二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢复问题，因而具备极低的正向导通压降和近乎瞬态的开关特性。RST品牌SS22至SS210系列采用SMB（DO-214AA）表面贴装封装，覆盖20V至100V反向电压范围，正向额定电

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  RST品牌US2A至US2M系列 高效整流二极管

  高效整流二极管（High Efficient Rectifier）是基于传统PN结结构优化的功率器件，通过外延生长、载流子寿命控制及芯片结面优化等工艺手段，在保持较高反向耐压能力的同时降低正向导通压降并提升开关速度，是开关电源、逆变器等中高频功率变换系统中替代普通整流管的关键器件。RST品牌US2A至US2M系列采用SMA（DO-214AC）表面贴装封装，覆盖50V至1000V反向电压范围，正向额

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  RST品牌SS12至SS120系列 肖特基势垒整流器

  肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier, SBR）基于金属-半导体接触形成的势垒实现整流功能，其导电机理以多数载流子为主，从根本上消除了传统PN结整流二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢复问题，因而具备极低的正向导通压降和近乎瞬态的开关特性。RST品牌SS12至SS120系列采用SMA（DO-214AC）表面贴装封装，覆盖20V至200V反向电压范围，正向额定电

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  RST品牌S3A至S3M系列 通用整流二极管

  通用整流二极管（General Purpose Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长与开放式芯片结工艺实现整流功能，是电力电子系统中最基础、应用最广泛的功率器件之一。RST品牌S3A至S3M系列采用SMB（DO-214AA）表面贴装封装，覆盖50V至1000V反向电压范围，正向额定电流为3.0A，是中小功率工频及中低频整流应用中的典型器件。 该系列包含七个耐压档级：S3A（50V）

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  RST品牌S2AF至S2MF系列 通用整流二极管

  通用整流二极管（General Purpose Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长与玻璃钝化芯片结工艺实现整流功能，是电力电子系统中最基础、应用最广泛的功率器件之一。RST品牌S2AF至S2MF系列采用SMAF（DO-214AC Flat）表面贴装封装，覆盖50V至1000V反向电压范围，正向额定电流为2.0A，是中小功率工频及中低频整流应用中的典型器件。 该系列包含七个耐压档级

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  RST品牌S1A至S1M系列 通用整流二极管

  通用整流二极管（General Purpose Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长与玻璃钝化芯片结工艺实现整流功能，是电力电子系统中最基础、应用最广泛的功率器件之一。 RST品牌S1A至S1M系列采用SMA（DO-214AC）表面贴装封装，覆盖50V至1000V反向电压范围，正向额定电流为1.0A，是中小功率工频及中低频整流应用中的典型器件。该系列包含多个耐压档级：S1A（50V

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  瑞斯特(RST) RST13009DW NPN功率双极型晶体管

  瑞斯特(RST) RST13009DW是一款采用硅外延平面工艺制造的高压高速NPN功率双极型晶体管(BJT)，采用TO-247S封装，专为高电压、高速度功率开关应用设计。其核心电气参数包括：集电极-基极击穿电压VCBO达700V，集电极-发射极维持电压VCEO(SUS)为400V，发射极-基极击穿电压VEBO为9V，连续集电极电流IC为12A，峰值脉冲电流ICM可达24A。 该器件在热性能方面表现

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  瑞斯特(RST)S8050 NPN型低频放大小功率贴片三极管

  瑞斯特(RST) S8050是一款采用塑料封装工艺的NPN型低频放大小功率贴片三极管，采用标准SOT-23封装，丝印标识为J3Y。该器件属于小信号通用晶体管范畴，主要面向低频放大与开关应用，具有击穿电压高、集电极-发射极饱和压降低的技术特点。 其核心电气参数包括：集电极-基极击穿电压VCBO为40V，集电极-发射极击穿电压VCEO为25V，发射极-基极击穿电压VEBO为5V，连续集电极电流IC为5

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  瑞斯特(RST) S8550 PNP型小信号三极管

  瑞斯特(RST) S8550是一款采用塑料封装工艺的PNP型小功率贴片三极管，采用标准SOT-23封装，丝印标识为2TY。该器件属于小信号通用晶体管范畴，专为中等功率放大与开关应用设计，具有高压特性与良好的线性放大能力。 其核心电气参数包括：集电极-基极击穿电压VCBO为-40V，集电极-发射极击穿电压VCEO为-25V，发射极-基极击穿电压VEBO为-6V，连续集电极电流IC为-500mA，集电

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  瑞斯特(RST) MMBT5551B2 NPN型小功率高压晶体管

  瑞斯特(RST) MMBT5551B2是一款采用硅外延平面工艺制造的NPN型小功率高压晶体管，封装形式为标准SOT-23贴片封装，引脚排列为BEC（1脚基极、2脚发射极、3脚集电极），丝印标识为"G1"。该器件基于中等功率放大及高压开关应用而设计，具有高击穿电压、低饱和压降和优异增益线性度的特性。 SOT-23封装采用塑料模压封装结构，整体尺寸约为2.90mm×1.30mm×1.00mm，在TA=

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  瑞斯特(RST) MMBT5401 高压PNP小信号晶体管

  MMBT5401是一款采用硅外延平面工艺制造的高压PNP小信号晶体管，采用SOT-23表面贴装封装，丝印标识为2L，对应hFE分档L档（100~200）和H档（200~300）。该器件是经典2N5401晶体管的表面贴装版本，专为中等功率放大和高压开关应用而设计，具有150V高耐压、低饱和压降和优异的高频特性。其封装尺寸紧凑（典型外形约2.9mm×1.3mm×1.0mm），引脚排列为BEC（1脚基极

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