瑞斯特半导体RST

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  RST品牌SS12至SS120系列 肖特基势垒整流器

  肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier, SBR）基于金属-半导体接触形成的势垒实现整流功能，其导电机理以多数载流子为主，从根本上消除了传统PN结整流二极管中少数载流子存储与复合带来的反向恢复问题，因而具备极低的正向导通压降和近乎瞬态的开关特性。RST品牌SS12至SS120系列采用SMA（DO-214AC）表面贴装封装，覆盖20V至200V反向电压范围，正向额定电

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  RST品牌S3A至S3M系列 通用整流二极管

  通用整流二极管（General Purpose Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长与开放式芯片结工艺实现整流功能，是电力电子系统中最基础、应用最广泛的功率器件之一。RST品牌S3A至S3M系列采用SMB（DO-214AA）表面贴装封装，覆盖50V至1000V反向电压范围，正向额定电流为3.0A，是中小功率工频及中低频整流应用中的典型器件。 该系列包含七个耐压档级：S3A（50V）

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  RST品牌S2AF至S2MF系列 通用整流二极管

  通用整流二极管（General Purpose Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长与玻璃钝化芯片结工艺实现整流功能，是电力电子系统中最基础、应用最广泛的功率器件之一。RST品牌S2AF至S2MF系列采用SMAF（DO-214AC Flat）表面贴装封装，覆盖50V至1000V反向电压范围，正向额定电流为2.0A，是中小功率工频及中低频整流应用中的典型器件。 该系列包含七个耐压档级

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  RST品牌S1A至S1M系列 通用整流二极管

  通用整流二极管（General Purpose Rectifier）基于传统PN结结构，通过外延生长与玻璃钝化芯片结工艺实现整流功能，是电力电子系统中最基础、应用最广泛的功率器件之一。 RST品牌S1A至S1M系列采用SMA（DO-214AC）表面贴装封装，覆盖50V至1000V反向电压范围，正向额定电流为1.0A，是中小功率工频及中低频整流应用中的典型器件。该系列包含多个耐压档级：S1A（50V

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  瑞斯特(RST) RST13009DW NPN功率双极型晶体管

  瑞斯特(RST) RST13009DW是一款采用硅外延平面工艺制造的高压高速NPN功率双极型晶体管(BJT)，采用TO-247S封装，专为高电压、高速度功率开关应用设计。其核心电气参数包括：集电极-基极击穿电压VCBO达700V，集电极-发射极维持电压VCEO(SUS)为400V，发射极-基极击穿电压VEBO为9V，连续集电极电流IC为12A，峰值脉冲电流ICM可达24A。 该器件在热性能方面表现

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  瑞斯特(RST)S8050 NPN型低频放大小功率贴片三极管

  瑞斯特(RST) S8050是一款采用塑料封装工艺的NPN型低频放大小功率贴片三极管，采用标准SOT-23封装，丝印标识为J3Y。该器件属于小信号通用晶体管范畴，主要面向低频放大与开关应用，具有击穿电压高、集电极-发射极饱和压降低的技术特点。 其核心电气参数包括：集电极-基极击穿电压VCBO为40V，集电极-发射极击穿电压VCEO为25V，发射极-基极击穿电压VEBO为5V，连续集电极电流IC为5

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  瑞斯特(RST) S8550 PNP型小信号三极管

  瑞斯特(RST) S8550是一款采用塑料封装工艺的PNP型小功率贴片三极管，采用标准SOT-23封装，丝印标识为2TY。该器件属于小信号通用晶体管范畴，专为中等功率放大与开关应用设计，具有高压特性与良好的线性放大能力。 其核心电气参数包括：集电极-基极击穿电压VCBO为-40V，集电极-发射极击穿电压VCEO为-25V，发射极-基极击穿电压VEBO为-6V，连续集电极电流IC为-500mA，集电

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  瑞斯特(RST) MMBT5551B2 NPN型小功率高压晶体管

  瑞斯特(RST) MMBT5551B2是一款采用硅外延平面工艺制造的NPN型小功率高压晶体管，封装形式为标准SOT-23贴片封装，引脚排列为BEC（1脚基极、2脚发射极、3脚集电极），丝印标识为"G1"。该器件基于中等功率放大及高压开关应用而设计，具有高击穿电压、低饱和压降和优异增益线性度的特性。 SOT-23封装采用塑料模压封装结构，整体尺寸约为2.90mm×1.30mm×1.00mm，在TA=

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  瑞斯特(RST) MMBT5401 高压PNP小信号晶体管

  MMBT5401是一款采用硅外延平面工艺制造的高压PNP小信号晶体管，采用SOT-23表面贴装封装，丝印标识为2L，对应hFE分档L档（100~200）和H档（200~300）。该器件是经典2N5401晶体管的表面贴装版本，专为中等功率放大和高压开关应用而设计，具有150V高耐压、低饱和压降和优异的高频特性。其封装尺寸紧凑（典型外形约2.9mm×1.3mm×1.0mm），引脚排列为BEC（1脚基极

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  瑞斯特(RST) PMBT2907 PNP型小功率晶体管

  瑞斯特(RST) PMBT2907是一款采用硅外延平面工艺制造的PNP型小功率晶体管，封装形式为标准SOT-23贴片封装，引脚排列为BEC（1脚基极、2脚发射极、3脚集电极），丝印标识为"2F"。该器件基于低频放大及通用小信号开关应用而设计，具有高击穿电压、低集电极-发射极饱和压降的特性。SOT-23封装采用塑料模压封装结构，整体尺寸约为2.90mm×1.30mm×1.00mm，在TA=25°C条

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  瑞斯特NXP3875G NPN通用小信号晶体管

  NXP3875G是一款采用硅外延平面工艺制造的NPN通用小信号晶体管，采用SOT-23（TO-236AB）表面贴装封装，丝印标识为J6，对应hFE分档L档（200~450）和H档（450~1000）。该器件基于硅外延平面技术制造，专为通用开关和线性放大应用而设计，具有高增益、低噪声和优异的hFE线性度。其封装尺寸紧凑（典型外形约2.9mm×1.3mm×1.0mm），引脚排列为BEC（1脚基极、2脚

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  瑞斯特MMST5401 高压PNP小信号晶体管

  MMST5401是一款采用硅外延平面工艺制造的高压PNP小信号晶体管，采用SOT-323超小型表面贴装封装，丝印标识为K4M。该器件是MMBT5401的SOT-323封装版本，专为中等功率放大和高压开关应用而设计，具有150V高耐压、低饱和压降和优异的高频特性。 SOT-323封装尺寸极为紧凑（典型外形约2.0mm×1.3mm×0.9mm），引脚排列为BEC（1脚基极、2脚发射极、3脚集电极），相

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  瑞斯特(RST) MMST5551 NPN型小功率高压晶体管

  瑞斯特(RST) MMST5551是一款采用硅外延平面工艺制造的NPN型小功率高压晶体管，封装形式为超小型SOT-323贴片封装，引脚排列为BEC（1脚基极、2脚发射极、3脚集电极），丝印标识为"K4N"。该器件基于中等功率放大及高压开关应用而设计，具有高击穿电压、低饱和压降和优异增益线性度的特性，同时以超小封装尺寸实现了与标准SOT-23系列相当的高压性能。 SOT-323封装采用塑料模压封装结

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  瑞斯特RST0281Q 采用硅外延平面工艺制造的大功率NPN晶体管

  RST0281Q是一款采用硅外延平面工艺制造的大功率NPN晶体管，封装形式为TO-3PB（亦可兼容TO-3P），引脚排列为BEC（1脚基极、2脚集电极、3脚发射极）。该器件基于硅外延平面技术制造，专为高保真音频功率放大及其他线性应用而设计，具有高耐压、大电流和优异hFE线性度的特性。 TO-3PB封装采用金属底板与塑料外壳复合结构，整体尺寸约为15.7mm×4.8mm×20.1mm，金属底板（即集

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  瑞斯特(RST) RST807 PNP型小功率高压晶体管

  瑞斯特(RST) RST807是一款采用硅外延平面工艺制造的PNP型小功率高压晶体管，封装形式为标准SOT-23贴片封装，引脚排列为BEC（1脚基极、2脚发射极、3脚集电极）。该器件基于中等功率放大及高压开关应用而设计，具有高击穿电压、低饱和压降和宽范围增益分档的特性。 SOT-23封装采用塑料模压封装结构，整体尺寸约为2.90mm×1.30mm×1.00mm，在TA=25°C条件下最大允许集电极

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  瑞斯特(RST) RST847 NPN型小功率高压晶体管

  瑞斯特(RST) RST847是一款采用硅外延平面工艺制造的NPN型小功率高压晶体管，封装形式为标准SOT-23贴片封装，引脚排列为BEC（1脚基极、2脚发射极、3脚集电极）。该器件基于中等功率放大及高压开关应用而设计，具有高击穿电压、低饱和压降和宽范围增益分档的特性。 SOT-23封装采用塑料模压封装结构，整体尺寸约为2.90mm×1.30mm×1.00mm，在TA=25°C条件下最大允许集电极

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  瑞斯特(RST) RST857 PNP型小信号三极管

  瑞斯特(RST) RST857是一款采用SOT-23表面贴装封装的PNP型小信号三极管，其内部电路结构遵循标准双极结型晶体管(BJT)设计，引脚排列为1-Base、2-Emitter、3-Collector的BEC配置。 该器件集电极-基极击穿电压VCBO为-50V，集电极-发射极击穿电压VCEO为-45V，发射极-基极击穿电压VEBO为-5V，集电极连续电流IC达到-100mA，集电极功耗PC在

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  瑞斯特(RST) RST0302Q 大功率PNP型晶体管

  瑞斯特(RST) RST0302Q是一款采用硅外延平面工艺制造的大功率PNP型晶体管，封装形式为标准TO-3PB金属封装，引脚排列为BEC（1脚基极、2脚集电极、3脚发射极）。该器件基于高保真音频功率放大及其他线性应用而设计，具有高击穿电压、优异的hFE线性度和最小批次间差异的特性，确保了器件性能的稳健性和运行的可靠性。 TO-3PB封装采用金属底板与塑料外壳复合结构，整体尺寸约为15.75mm×

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  瑞斯特(RST) RST6302系列 低压差线性稳压器

  瑞斯特(RST) RST6302系列是一款采用CMOS工艺制造的三端固定输出低压差线性稳压器，其最突出的技术特征在于高达30V的输入电压承受能力与极低的静态功耗。该器件在3.5V至30V的宽输入电压范围内工作，输出电压通过金属熔丝技术在芯片内部设定，可在2.5V至5.0V之间以100mV为步进进行选择，输出电压精度为±2%。 在电气性能方面，RST6302最大输出电流为150mA，3.3V输出时的

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  瑞斯特(RST) RST13003 NPN型高压功率晶体管

  瑞斯特(RST) RST13003是一款采用硅外延平面工艺制造的NPN型高压功率晶体管，封装形式为标准TO-126塑料封装，引脚排列为BEC（1脚基极、2脚集电极、3脚发射极）。该器件基于高压开关应用而设计，具有700V阻断能力、高电流承载能力和低饱和压降的特性。 TO-126封装采用塑料外壳与金属散热片复合结构，整体尺寸约为7.6mm×10.8mm×2.7mm，金属散热片（与集电极电气相连）可直

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