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扫码加入瑞斯特半导体（RSTTEK）是一家专注于功率半导体器件研发、设计与销售的高科技企业，以“用芯驱动未来”为核心理念，致力于为全球客户提供高性能、高可靠性的功率器件解决方案。公司自2021年成立以来，始终聚焦于MOSFET、IGBT等功率半导体产品的技术创新与应用推广，逐步发展成为国内领先的功率半导体器件封装测试企业。 收起 展开全部
产业链 半导体元器件 收起 展开全部
瑞斯特 (RST) MBR40200A 为 TO-220 直插封装 40A/200V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片内置 Guard Ring 保护环结构，能够优化芯片边缘电场分布，缓解高压工况下电场集中问题，提升器件高压耐受稳定性。器件依托多数载流子完成导电，不存在少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配高频开关功率电路。核心电气参数匹配规格书标准，器件总平均整流电流
瑞斯特 (RST) MBR40200E 为 TO-263 贴片封装 40A/200V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅平面外延芯片工艺，芯片集成保护环结构优化芯片边缘电场分布，削弱高压环境下电场集中效应，提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子完成导电，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配各类高频开关功率回路。核心电气参数遵循规格书标准，总平均整流电流 40A，单支路额定电流 20A，25
瑞斯特 (RST) MBR40150A 是一款采用 TO-220 直插封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于 40A/150V 规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属 - 硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片表面经过氧化钝化处理并覆盖金属 overlay 接触层，内部集成保护环（Guard Ring）结构用于过压应力防护。TO-220 封装为三引脚设计，引脚 1 和引脚 3 分
瑞斯特(RST) MBR40100F是一款采用平面工艺（Planar Process）制造的大功率肖特基势垒整流二极管，属于MBR系列中面向中高功率应用场景的代表型号。该器件基于金属-N型半导体接触形成的肖特基势垒结构，区别于传统PN结二极管，其正向导通时仅依赖多数载流子（电子）参与导电，因此具备极短的反向恢复时间（Trr趋近于零）和显著更低的正向压降（VF）。在TO-220F全塑封绝缘封装形式下
瑞斯特(RST) MBR40100E是一款采用平面肖特基势垒结构的40A/100V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-263贴片封装，具有体积小、散热性能优异、适合自动化贴装的特点，可直接焊接于PCB铜箔区域并通过大面积过孔实现高效热传导，适用于高密度大功率整流应用。封装外形尺寸约为8.1
瑞斯特(RST) MBR40100A是一款采用平面肖特基势垒结构的40A/100V肖特基整流二极管，其内部为共阴极双二极管结构，包含两个独立的肖特基二极管单元，阳极分别引出至引脚1和引脚3，公共阴极连接至引脚2。该器件采用TO-220金属背板封装，散热性能优异，可直接安装于散热器并通过金属背板实现高效热传导，适用于超大电流功率整流应用。封装外形尺寸约为15.87mm×10.06mm×4.90mm，
MBR30200W是瑞斯特(RST)推出的一款30A/200V平面肖特基势垒整流器，采用金属-半导体(M-S)接触结构，利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(Common Cathode)拓扑，单管腿平均整流输出电流15A，总平均整流输出电流30A，峰值重复反向电压(VRRM)达200V，在25℃结温、15A正向电流条件下典型正向压降(VF)为0.
瑞斯特 (RST) MBR40150E 为 TO-263 贴片封装 40A/150V 共阴极双路平面肖特基二极管，采用硅平面外延芯片工艺，芯片内置 Guard Ring 保护环结构缓解边缘电场集中，依托多子导电机制消除少子存储电荷，适配高频开关功率回路。 器件单支路额定电流 20A，总平均整流电流 40A，峰值重复反向耐压 150V，25℃、IC=0.5mA 条件下最小击穿电压 150V；25℃、
瑞斯特 (RST) MBR40150F 为 TO-220F 全绝缘封装 40A/150V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅平面外延芯片制程，芯片内部增设保护环结构改善边缘电场分布，弱化高压工况下电场集中现象，提升器件耐压稳定性。器件依靠多子电子实现导通，无少子存储效应，反向恢复速度快，适配高频开关电路。电气规格方面，总平均整流电流 40A，单支路额定电流 20A，峰值重复反向电压 150V；2
瑞斯特 (RST) MBR40200A 为 TO-220 直插封装 40A/200V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片内置 Guard Ring 保护环结构，能够优化芯片边缘电场分布，缓解高压工况下电场集中问题，提升器件高压耐受稳定性。器件依托多数载流子完成导电，不存在少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配高频开关功率电路。核心电气参数匹配规格书标准，器件总平均整流电流
瑞斯特 (RST) MBR40200E 为 TO-263 贴片封装 40A/200V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅平面外延芯片工艺，芯片集成保护环结构优化芯片边缘电场分布，削弱高压环境下电场集中效应，提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子完成导电，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配各类高频开关功率回路。核心电气参数遵循规格书标准，总平均整流电流 40A，单支路额定电流 20A，25
瑞斯特 (RST) MBR40200F 为 TO-220F 全绝缘塑封 40A/200V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片内部集成应力保护环结构，可改善芯片边缘电场集中问题，提升高压工况下器件稳定性。器件依靠多数载流子导电，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配高频开关功率电路。依据器件规格参数，总平均整流电流 40A，单支路额定电流 20A，25℃、IC=0.5mA
瑞斯特 (RST) MBR40200W 为 TO-247S 大功率直插封装 40A/200V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片内置 Guard Ring 应力保护环结构，优化芯片边缘电场分布，缓解高压下电场集中现象，提升器件高压耐受稳定性。器件依靠多数载流子完成导电，不存在少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配大功率高频开关功率回路。核心电气参数依据规格书标定，总平均整
瑞斯特 (RST) MBR60100A 为 TO-220 直插封装 60A/100V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片集成保护环结构改善边缘电场分布，缓解高压工况电场集中问题，提升器件电压稳定性。器件依托多数载流子导电，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配中低压高频开关电路。核心电气参数严格遵循规格标准，总平均整流电流 60A，单支路额定电流 30A，25℃、IC=
瑞斯特 (RST) MBR60100E 为 TO-263 贴片封装 60A/100V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片集成保护环结构优化芯片边缘电场分布，缓解中低压工况下电场集中问题，提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子完成导电，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配高密度贴片式高频开关功率回路。核心电气参数参考规格文件，总平均整流电流 60A，单支路额定电流 30
瑞斯特 (RST) MBR60100F 为 TO-220F 全绝缘封装 60A/100V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片内部设置应力保护环结构，优化芯片边缘电场分布，削弱高压下电场集中现象，提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子实现导电，不存在少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配中低压高频开关功率电路。依据规格文件电气参数，器件总平均整流电流 60A，单支路额定电流
瑞斯特 (RST) MBR60100W 为 100V/60A 平面型双路共阴极肖特基势垒整流器件，依托金属 - 半导体接触势垒完成整流工作，属于多子导电功率器件，内部设置两路独立肖特基阳极、共用阴极的三引脚结构，配套 TO-247S 环氧塑封封装，芯片采用平面工艺搭配保护环终端结构，依靠二氧化硅钝化层均匀分散芯片边缘电场，缓解高压工况下电场集中问题，有效提升反向耐压稳定性，器件依靠 N 型半导体电
瑞斯特 (RST) MBR60200W 是一款 200V/60A 平面型共阴极双路肖特基整流器件，依靠金属与半导体形成的肖特基势垒实现整流作用，属于多子导电功率半导体器件，内部采用两路独立阳极、共用阴极的三引脚结构，封装形式为 TO-247S 环氧塑封大功率封装，芯片采用平面工艺搭配边缘保护环应力防护结构，通过二氧化硅钝化层平缓芯片边缘电场，缓解高压工况下电场集中现象，器件以 N 型半导体电子作为
瑞斯特 (RST) RST1045C 为 TO-251 小信号直插封装 10A/45V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅平面外延芯片工艺，芯片内置 Guard Ring 应力保护环结构，改善芯片边缘电场分布，弱化低压工况下电场集中效应，提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子导通，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配小型低压高频开关回路。核心电气参数参照规格文件，总平均整流电流 10A，单
瑞斯特 (RST) RST1045D 为 TO-252 贴片封装 10A/45V 共阴极双路平面肖特基整流器件，采用硅外延平面芯片工艺，芯片搭载应力保护环结构优化芯片边缘电场分布，缓解低压场景下电场集中问题，提升器件耐压稳定性。器件依靠多数载流子完成导电，无少数载流子存储电荷，反向恢复速度快，适配小型贴片式低压高频开关电路。依据规格书电气参数，器件总平均整流电流 10A，单支路额定电流 5A，25
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