CMOS

• 【匠师共研】系列之二 解锁铁电材料密码，铺就类脑存算一体工程化之路

  当类脑智能成为打破传统算力瓶颈的核心方向，材料创新与工程化落地的协同探索愈发关键。近日，泰克技术大牛中国区技术总监张欣与华东师范大学专家田教授展开深度对话，围绕 “铁电赋能类脑” 主题，从材料机理、器件研发到测试赋能，全方位拆解从实验室创新到存算一体工程化的进阶之路。 “铁电材料的独特性，是类脑器件研发的核心密码。” 田教授开篇点明核心。他介绍，铁电材料因晶体结构对称性破缺，内部偶极子在外加电场作

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  02/03 13:58

  CMOS 泰克

  
• Littelfuse新一代超低功耗全极TMR开关扩充磁性传感器产品组合

  新型LF21173TMR和LF21177TMR开关采用紧凑型LGA4封装，可提供高灵敏度、快速响应并延长电池寿命，适用于电池供电的智能电子产品。 Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS） 是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出两款新一代 全极磁性开关： LF21173TMR 和 LF21177TMR。这两款器件在紧凑的LGA4封

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  01/27 09:10

  CMOS Littelfuse

  
• Teledyne Space Imaging宣布推出用于太空的升级筛选传感器

  Teledyne Technologies Incorporated，作为先进成像解决方案供应商，欣然宣布其新推出的工业 CMOS 图像传感器——为太空应用甄选 ——的工程样机（EM），以及评估套件和集成工具，将在 2025 年底前全面提供。 这些传感器在法国格勒诺布尔的Teledyne工厂开发和测试，专为不断增长的“新太空"市场需求而设计。两种型号——Ruby 1.3M USV 和 Emeral

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  01/06 16:30

  传感器 CMOS

  
• 东芝推出适用于工业设备过流检测的高速响应、I/O全范围双通道比较器（CMOS）

  东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出一款双通道比较器（CMOS）——“TC75W71FU”。该产品具有高速响应和I/O全范围（轨到轨）的特点，适用于工业设备[1]中的过流检测。新产品于今日起开始出货。 工业设备在电机驱动和电源电路中通常使用大电流，随之而来的突发过流的风险可能引发损坏设备，导致生产线停工、甚至有安全隐患；因此，快速检测和保护至关重要。与此同时，在不断追求更高效率和产

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  2025/12/24

  CMOS 东芝

  
• 錼创科技将并购Lumiode，以加速近眼显示Micro LED发展

  PlayNitride (錼创科技)董事会于12月16日公告表示，将以200万美元收购美国Lumiode Inc.之100%股权。TrendForce集邦咨询分析，Lumiode已成立十年，这项并购案将有助PlayNitride在扩张技术与专利版图的同时，获取更多北美客户以及销售渠道，从而提升该公司在近眼显示与医疗等非显示应用的国际竞争力。 PlayNitride在Micro LED产业中举足轻重

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  2025/12/19

  CMOS AR眼镜
• 解析瞬态密码！海伯森超高速相机让您从容审视每一个动作瞬间

  在智能制造浪潮的推动下，对生产过程中瞬态现象的精确捕捉与解析已成为提升质量、追溯故障与革新工艺的关键。超高速工业相机，作为机器视觉的“高速摄影眼”，是实现这一目标的尖端装备。本文以我们海伯森技术有限公司的超高速工业相机为核心，系统剖析其基于全局快门CMOS图像传感器芯片、超高速FPGA（图像处理单元）并行处理及PCIe Gen等数据传输高速访问的技术架构。通过引入智能手机跌落测试、F1赛车轮胎动力

  海伯森Hypersen

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  2025/12/18

  智能制造 CMOS
• 芯片中Dummy Gate和filler cell

  Dummy Gate 和 Filler Cell 是先进 CMOS 工艺中的关键技术，用于解决制造均匀性、电学一致性、信号完整性、机械与热可靠性等问题，显著提升芯片良率和性能。Dummy Gate 提供制造均匀性和电学一致性，而 Filler Cell 则有助于维持阱与注入层的连续性、保证电源/地网格的电气完整性和满足制造规则。两者虽占用一定面积，但在降低成本的同时大幅提升了芯片的整体质量和可靠性。

  志芯

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  2025/12/02

  CMOS

  
• IU5051：扩频技术,16V,15A高效率升压DC-DC转换器

  IU5051E是一款采用CMOS工艺的高效率升压DC-DC转换器，采用ESOP8L封装，输入电压范围3~16V，输出电压可调最高至18V，额定工作温度-40~85℃，内置MOSFET设计，外围电路极简，适用于音箱产品、电动工具、数码相机、手持设备等终端设备，主打高可靠性与低EMI特性。 其核心性能突出，最高效率可达93%，开关频率典型值340KHz（范围300~380KHz），反馈参考电压精准至1

  上大科技蔡生

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  2025/11/29

  CMOS DCDC
• 国产CIS，渐行渐远

  Yole 报告指出，2024年至2025年，图像传感与成像技术行业呈现多领域协同发展态势。CMOS图像传感器市场回暖，2024年收入增长6.4%，预计2030年前将保持4.4%的复合增长率。AR/VR市场分化，AR市场以44%增速扩张，VR市场保持稳定，MicroLED等技术定义下一代体验。整体来看，行业创新聚焦多堆叠设计、AI集成、新材料应用，区域竞争中中国厂商崛起显著。

  半导体产业纵横

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  2025/11/28

  CMOS CMOS图像传感器

  
• HLD3370AL、HLD5070AL低压差线性稳压器70V高压防护聚能芯半导体智芯原厂技术支持

  HLD3370AL、HLD5070AL、HLD9070AL、HLD12070AL 系列低压差线性稳压器，以 CMOS 技术为核心，凭借硬核性能成为音频、视频及通信设备的理想供电解决方案。​ 该系列稳压器堪称 “高压耐造典范”，耐压值高达 70V，轻松应对复杂供电环境中的电压波动，有效避免瞬时高压对设备的损害，为敏感电子元件筑起坚实防护墙。输出端提供 2.8V~12.0V 多档固定电压选择，适配不同

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  2025/11/20

  半导体 CMOS
• 华芯微国产汽车芯片MOSFET 驱动器系列（篇一）

  一、HRMD2110PMCC 型高低边MOSFET 驱动器 1.1产品介绍 HRMD2110PMCC 高压高速功率MOSFET 与IGBT 驱动器采用独立高低侧参考输出通道设计，搭载专有HVIC 技术及抗闩锁CMOS 工艺，实现模块化单片集成。逻辑输入兼容标准CMOS 或LSTTL 输出（低至3.3V 逻辑电平），输出驱动器配备高脉冲电流缓冲级，有效抑制驱动器交叉导通现象。信号传输延迟经过精密匹配

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  2025/11/18

  MOSFET 驱动器

  
• LMV321、LMV358：低功耗轨到轨输入输出 CMOS 运算放大器

  在电池供电控制、传感器接口、便携设备、医疗仪器、有源滤波器等场景中，常面临低功耗、宽电压适配、小封装空间及信号放大稳定性等需求，LMV321/358系列运放可针对性应对。该系列是通用型低功耗CMOS运算放大器，包含单运放LMV321与双运放LMV358，适配1.5~5.5V单电源或±0.75~±2.75V双电源供电，工作温度范围覆盖-55~125℃，能满足高低温工业与便携设备需求。 其核心优势聚焦

  上大科技蔡生

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  2025/11/13

  运算放大器 低功耗
• 一文了解新型晶体管(环栅晶体管GAA)制造技术

  本文探讨了CMOS晶体管的发展趋势，特别是针对短沟道效应的解决方案。介绍了新型材料（如GaAs、InGaAs、InAs等）和结构（如FinFET、GAAFET）的应用，以及英特尔和台积电在制程技术上的创新。重点阐述了垂直型环栅晶体管（GAAFET）的优势，包括更优的沟道形貌、不受光刻限制的栅极长度、更高的集成密度和更低的功耗。文中还详细介绍了GAAFET的制造工艺，对比了水平型和垂直型环栅晶体管的特点，并指出现有技术面临的挑战和改进方向。

  半导体全解

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  2025/11/03

  晶体管 CMOS

  
• 高精度抗干扰，纳芯微推出NSHT30A模拟输出温湿度传感器

  随着人们对生活品质与环境舒适度的要求不断提升，智能家电与HVAC（采暖、通风与空调）系统正加速向智能化与精密化方向发展。温湿度的精准监测已成为实现高效节能与舒适体验的重要环节。 为满足不同应用场景需求，继推出数字输出温湿度传感器NSHT30之后，纳芯微再度推出全新模拟输出温湿度传感器NSHT30A，专为高噪声、长距离传输等复杂环境设计。该产品的推出，使纳芯微在温湿度传感器方面实现了数字与模拟接口的

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  2025/10/28

  CMOS 单芯片

  
• 押注中国汽车增量市场  格罗方德与增芯CMOS合作  全球车规级CMOS市场和技术路线分析

  格罗方德推进中国市场推进 “China for China” 战略。全球第五大晶圆代工厂格罗方德（GF）于9月24日在上海举行的技术峰会上中国区总裁胡维多宣布与中国晶圆代工厂增芯科技（Zensemi）合作，专注于成熟的40nm工艺技术，用于汽车电子领域的CMOS产品。 由格罗方德负责技术授权，增芯负责代工生产。 头部代工企业-晶圆尺寸与制程 汽车 CIS 主要采用 12 英寸晶圆生产（占比约 92

  芯科技圈

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  2025/09/29

  汽车行业 CMOS
• 芯原推出基于FD-SOI工艺的无线IP平台，支持多样化物联网及消费电子应用

  芯原股份（芯原，股票代码：688521.SH）今日发布其无线IP平台，旨在帮助客户快速开发高能效、高集成度的芯片，广泛应用于物联网和消费电子领域。该平台基于格罗方德（GF）22FDX®（22纳米FD-SOI）工艺，支持短程、中程及远程无线连接，并提供完整的IP解决方案，可实现具有竞争力的功耗、性能及面积（PPA）。 该平台针对低能耗蓝牙（BLE）、双模蓝牙（BTDM）、NB-IoT及Cat.1/C

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  2025/09/24

  射频 CMOS

  
• CIS三巨头半年报透视，增长密码藏在哪？

  CMOS图像传感器（CIS）市场持续升温，三大CIS巨头豪威、思特威、格科相继发布上半年财报，展现强劲增长势头。汽车电子、安防监控、运动相机等多元化需求推动市场快速发展。豪威在汽车CIS领域表现突出，思特威在智能手机和汽车电子市场取得进展，格科高像素产品战略初显成效。国产厂商在技术创新和市场拓展方面取得显著成果，加速追赶国际巨头。

  半导体产业纵横

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  2025/09/19

  图像传感器 CMOS

  
• 国际大厂加速投入，预估2030年AR眼镜出货量达3,210万台

  最新发布的《2025近眼显示市场趋势与技术分析》报告，2025年随着国际品牌陆续推出AR眼镜原型，以及Meta预计在近期发布AR眼镜Celeste，市场对AR装置的关注程度开始升温，加上OLEDoS产品价格下跌，预计2025年全球AR出货量将达到60万台。 长期而言，信息提示类AR市场的成长动能强劲，2028年开始伴随高阶全彩AR技术趋于完善，来自国际大厂设计更加成熟的产品陆续问世，将推升出货量于

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  2025/09/03

  AI技术 CMOS

  
• 半导体工艺中，MOS器件的深井注入为什么要分三道离子注入呢？

  在MOS器件工艺中，深井注入（如CMOS中的深n阱或深p阱）采用三道离子注入是解决深度、浓度分布、晶格损伤和工艺控制等核心问题的关键策略。以下是针对MOS器件的具体原因分析： 1. 优化纵向浓度分布（关键目标） MOS器件对阱区的杂质分布有严格要求： 表面浓度需足够低：避免影响MOSFET沟道区的阈值电压。 阱底浓度需足够高：防止源漏穿通（Punch-through），尤其在短沟道器件中。 浓度梯

  国芯制造

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  2025/08/18

  CMOS

  
• 用脉冲应力重新定义先进 CMOS 的可靠性测试

  本文通过引入脉冲应力与电荷泵技术，解决了传统直流方法在先进 CMOS 及高K材料可靠性评估中的三大盲区：动态恢复效应、频率相关寿命、界面陷阱实时监测。 对于研究半导体电荷捕获和退化行为来说，脉冲应力对典型的应力测试是一个有用的补充。NBTI（负偏置温度不稳定性）和 TDDB（随时间变化的介电击穿）试验包括应力 / 测量循环。所施加的应力电压通常是一个直流信号，使用它是因为它更容易映射到器件模型中。

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  2025/08/15

  电路 晶体管

  

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