DDR

• 一文读懂DRAM之DDR4 和 DDR5的不同

  本文介绍了DRAM和DDR的基本概念及其发展。DRAM是一种动态随机存取存储器，依靠电容存储电荷表示0/1，并且需要周期性刷新。DDR则是双倍数据率SDRAM，能够在同一个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据。 文章详细比较了DDR4和DDR5的关键区别，包括速率、电压、通道结构、Bank数量、单条容量、PMIC位置和ECC机制等方面。DDR5相比DDR4具有更高的频率、带宽、通道并行度、电压降低和更复杂的电源管理特性。 此外，文章还探讨了DDR5在信号完整性、电源管理和可靠性方面的挑战，以及其在封装和模组上的差异。最后，针对工程应用提出了何时选择DDR4还是DDR5的建议，强调了带宽需求和平台代际更新的重要性。

  老虎说芯

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  11/28 10:03

  dram DDR5

  
• 双面布局的DDR表底走线居然不一样，这么低级的错误都没看出来？

  Chris在与硬件工程师交流时发现，现代硬件工程师不仅精通硬件原理，还深入了解PCB设计知识。他分享了一个关于DDR4拓扑优化的案例，指出分支长度和对称性对信号质量的重要性。一位客户提出了一个特殊的优化建议——使表底层走线长度不同，尽管他认为这种设计合理。Chris通过仿真验证，解释了为何即使保持表底层分支长度一致，改变主干道位置也能显著提高信号质量。最终，客户接受了理论与实践相结合的方法，认识到实际设计中信号质量受多种因素影响。

  一博科技

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  11/18 10:13

  pcb设计 DDR

  
• 一文读懂DDR家族：UDIMM等全解析

  来源：深圳市兴万联电子有限公司投稿 作者：蔡友华 很多同事、同行、客户都曾问到：DDR与SODDR有什么区别？LPDDR SOCAMM2又是什么？今天，我来为大家整理一份简明的资料，进行一次系统性科普。如有错漏，欢迎指正交流！ 01、什么是DDR? DDR全称：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(双倍数据率同步动态随机

  eefocus_3878903

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  10/28 16:27

  连接器 DDR
• 【工程师必看】DDR缺货涨价？5步教你验证新内存颗粒“抗不抗造”！

  前言： 2025年，存储市场持续“高烧”—— - 国际大厂停产DDR3/4，减产LPDDR4/4X，涨价50%只是起步 - 国产料号月更、周更，同一料号不同Die，颗粒参数“开盲盒” - 更大的坑是：对于嵌入式产品而言，内存颗粒的微小差异都可能引发硬件兼容性问题，从而给系统稳定性带来了挑战。 别慌！眺望电子基于RK3588核心板，梳理出一套完整的【DDR颗粒五步压力验证法】，从环境搭建到多场景测试

  Talowe 眺望电子

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  10/24 16:18

  DDR 闪存颗粒
• RK3588 DDR电路PCB设计全攻略：从原理图到量产

  本文介绍了RK3588 DDR控制器的设计要点，涵盖了电源设计、阻抗控制、布局布线、时序要求等方面，并提供了常见设计陷阱的规避方法。

  凡亿教育

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  10/03 09:55

  pcb设计 电路设计

  
• SDRAM详细分析- 10内存特性对比

  文章对比了DDR颗粒的时钟/带宽差异，介绍了DDR和LPDDR特性，探讨了不同DDR速率的比较，并解释了带宽和速率的区别及其影响因素。

  大话硬件

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  09/16 10:05

  DDR sdram
• DDR 信号质量：加不加终端匹配电阻，差别竟然这么大！

  在 DDR 设计中，菊花链拓扑因布局灵活被广泛应用，但信号传输线较长带来的反射问题却让人头疼。终端匹配电阻到底要不要加？加了和不加，信号质量差距有多大？今天就用真实案例带你来一探究竟！ 先搞懂：终端电阻是来干嘛的？ DDR 采用菊花链拓扑时，信号在传输过程中遇到阻抗不连续，就会像回声一样产生反射，干扰原始信号。终端匹配电阻的核心作用，就是通过 “阻抗匹配” 消除这种反射。 常见的端接方式有两种：

  凡亿教育

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  09/14 09:30

  DDR
• HBM延迟竟比DDR高？Aurora超算实测打脸“低延迟”神话！

  HBM和DDR哪个延迟高？HBM比DDR的带宽高，大家没有异议。但是HBM是不是比DDR的延迟低？DDR内存快得多？那可不一定！

  歪睿老哥

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  07/31 09:00

  HBM DDR

  
• 【硬核干货】DDR模块PCB设计全解析：拓扑结构、布线规则、误差控制一个都不能少！

  在高速PCB设计中，DDR模块是绝对绕不过去的一关。无论你用的是DDR、DDR2还是DDR3，只要设计不规范，后果就是——信号反射、时序混乱、系统频繁死机。今天这篇文章，我们就围绕DDR的PCB设计要点，从定义、阻抗、布局拓扑、走线控制等核心问题，结合实际工程图示，为你一次讲透！

  凡亿教育

  1.2万

  04/27 09:50

  pcb设计 DDR

  
• 「PCB高手笔记」DDR模块设计避坑指南，一文搞懂关键布局走线要点！

  RK3588 DDR 控制器接口支持 JEDEC SDRAM 标准接口，原理电路16位数据信号如图8-1所示，地址、控制信号如图8-2所示，电源信号如图8-3所示。电路控制器有如下特点：

  凡亿教育

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  04/24 17:05

  电路设计 DDR

  
• 不止高性能！贞光科技代理紫光国芯全系列存储产品，为您提供定制化DDR解决方案！

  在数据爆炸的时代，贞光科技代理紫光国芯全系列存储产品，以“不止高性能”为核心，为各行业量身打造内存解决方案。从工业自动化到AI算力革命，重新定义存储技术的边界！

  贞光科技

  717

  03/03 17:23

  贞光科技 DDR
• 存储巨头缩减生产比重，DDR4或将退出历史舞台

  作为电脑系统的重要硬件，内存是计算机中用于暂时存储数据和指令的部件，它直接与CPU相连，是CPU进行数据交换的桥梁。内存的速度和容量对计算机的整体性能有着直接的影响。作为计算机系统中至关重要的组成部分，内存承担着数据存储与快速读取的重任。从最早的DRAM到如今的DDR4乃至即将面世的DDR5，内存技术不断演进，每一次的技术革新都伴随着性能的提升和应用范围的拓宽。

  半导体产业纵横

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  2024/11/11

  内存 DDR5

  
• 【PSIJ测试应用方案】探索PSIJ之谜—由电源引起的高速信号抖动

  PSIJ，那是一场无声的风暴 在高速信号传输的世界里，每一个细微的“波动”都可能引发巨大的影响。而如今，一个隐匿的“杀手”正悄然威胁着高速信号的稳定性——那就是电源引起的高速信号抖动PSIJ（Power Supply Induced Jitter）。这个看似陌生的术语，却在电子领域掀起了一场无声的风暴。当高速信号供电电源受到挑战，高速信号便如同在波涛汹涌的大海中航行的船只，摇摆不定，失去了精准的方

  与非网编辑

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  2024/09/23

  DDR 高速信号

  
• Bourns 推出符合 AEC-Q200 标准车规级薄膜片状电阻

  Bourns® CRT-A 系列满足了汽车、手机、SD卡、DDR内存和相机模块等应用需求对小型、高精度电阻的日益增长。 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，全新推出符合 AEC-Q200 标准的车规级薄膜片状电阻系列。Bourns® CRT-A系列相较于传统的通孔型电阻，提供更高的电阻公差精度和温度系数 (TCR)。该系列不仅强化了信号质量，还采用表贴式

  与非网编辑

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  2024/08/23

  电阻 柏恩Bourns

  
• 信号匹配的等长与等时

  在产品的设计过程中，等长匹配是需要关注的一项工作。串行信号常见的规则为+/-5mil，有的资料会给出＜1ps的匹配要求。并行信号的规则就比较复杂一点。下面以常见的DDR为例，来进行相关的说明。

  信号完整性学习之路

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  2024/06/24

  信号 串行通信

  
• HBM革新浪潮下，AMD加速卡定义内存与计算融合新方向

  在AMD Alveo V80加速卡中，Versal HBM 自适应 SoC 的支持是一大亮点。Alveo V80作为一个网络附接的加速器卡，可以和存储驱动器连接，应对非常广泛的工作负载和需求。

  张慧娟

  2002

  2024/06/17

  FPGA 与非观察
• NUC980_NuWriter 烧写或者重启报错Err-DDR

  在调试新唐的nuc980时，遇到一个问题，烧写或者重启时，有时会出现内存错误：Err-DDR 这个问题在网上查到的信息不多，有一篇Issues在新唐的官方github上面： NUC980_NuWriter 烧写报错Err-DDR · Issue #6 · OpenNuvoton/NUC980_NuWriter · GitHub[1] 从上面的讨论中可以看出来可能是电源芯片的时序不匹配问题。

  嵌入式技术笔记

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  2024/06/12

  DDR 新唐科技
• 赛昉基于RISC-V的JH-7110智能视觉处理平台采用了芯原的显示处理器IP

  芯原可扩展且灵活的DC8200 IP可提供显示设备自适应能力和高质量显示效果，赋能沉浸式视觉体验 芯原股份（芯原，股票代码：688521.SH）今日宣布赛昉科技（简称“赛昉”）基于RISC-V架构的量产SoC昉·惊鸿-7110（JH-7110）采用了芯原的显示处理器IP DC8200。该SoC具有高性能、低功耗和高安全性的特点，为云计算、工业控制、网络附加存储（NAS）、平板电脑、人机界面（HMI

  与非网编辑

  1061

  2024/03/21

  RISC-V DDR

  
• 2024年，存储新技术DDR、HBM等大放异彩！

  迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。

  全球半导体观察

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  2024/03/17

  HBM 存储技术

  
• 服务器（DDR电源）

  MPS的控制器和稳压器以效率为先，同时保持较低的整体系统成本；其散热管理专为高密度、高耗电的服务器而开发，能够节省能源并优化输出。MPS专有的Intelli-PhaseTM技术可维持并提高每个新设计的性能。这些可扩展的解决方案还提供了热插拔功能和先进的FET技术，可帮助简化设计并实现节省空间的封装。

  MPS

  979

  2024/01/22

  电源 DDR

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